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강판;상기 강판 상에 형성된 아연계 도금층; 및상기 도금층 상에 형성된 후처리 피막을 포함하고,상기 후처리 피막은 금속산화물염 및 유기화합물을 포함하며,상기 후처리 피막에 포함된 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)는 2 초과 20 미만인, 후처리 피막이 형성된 아연계 도금강판
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제1항에 있어서,상기 후처리 피막은 피막 상부 및 피막 하부로 구분되며,상기 피막 상부는 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)가 5 이상이고,상기 피막 하부는 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)가 5 미만인, 후처리 피막이 형성된 아연계 도금강판
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제2항에 있어서,상기 피막 상부는 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)가 3
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제2항에 있어서,상기 피막 하부는 두께가 후처리 피막 전체 두께의 1/4 내지 3/4인, 후처리 피막이 형성된 아연계 도금강판
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제1항에 있어서,상기 금속산화물염은 몰리브덴(Mo), 붕소(B), 규소(Si), 티타늄(Ti) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는, 후처리 피막이 형성된 아연계 도금강판
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아연계 도금강판 상에 후처리 코팅용액을 도포하고 건조하여 후처리 피막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 후처리 피막에 포함된 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)가 2 초과 20 미만인, 아연계 도금강판 후처리 방법
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제6항에 있어서,상기 후처리 피막은 피막 상부 및 피막 하부로 구분되며,상기 피막 상부는 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)가 5 이상이고,상기 피막 하부는 산소(O)와 금속(M)의 원자비(O/M)가 5 미만인, 아연계 도금강판 후처리 방법
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제7항에 있어서,상기 피막 하부는 두께가 후처리 피막 전체 두께의 1/4 내지 3/4인, 아연계 도금강판 후처리 방법
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제6항에 있어서,상기 후처리 코팅용액은 pH가 3
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제6항에 있어서,상기 후처리 피막은 피막 부착량이 100 내지 1000mg/m2인, 아연계 도금강판 후처리 방법
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