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그래핀 산화물의 분리방법 및 그래핀 코팅강판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019039382
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 산화물 수용액을 준비하는 단계, 상기 그래핀 산화물 수용액에 산 또는 염기를 투입하여 산도를 조절하는 단계, 및 상기 산도가 조절된 그래핀 산화물 수용액의 상층액 및 하층액을 분리하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물의 분리방법과 이를 이용한 그래핀 코팅강판의 제조방법이 개시된다.
Int. CL C01B 32/198 (2017.01.01) C23C 22/02 (2006.01.01) C23C 22/82 (2006.01.01)
CPC C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01)
출원번호/일자 1020150184123 (2015.12.22)
출원인 주식회사 포스코
등록번호/일자 10-1819302-0000 (2018.01.10)
공개번호/일자 10-2017-0075126 (2017.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20180117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.22)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유혜진 대한민국 전라남도 광양시
2 정용균 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1259800-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011438-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0428975-32
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788958-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0788957-17
7 등록결정서
Decision to grant
2017.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0906501-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 산화물 수용액을 준비하는 단계;상기 그래핀 산화물 수용액에 산 또는 염기를 투입하여 산도를 조절하여, 그래핀 산화물을 크기별로 분리하는 단계; 및상기 크기별 분리된 그래핀 산화물 수용액의 상층액 및 하층액을 분리하는 단계;를 포함하는 그래핀 산화물의 분리방법
2 2
흑연을 산처리하여 그래핀 산화물과 불순물의 혼합 용액을 얻는 단계;상기 혼합 용액 중 불순물을 제거하여 그래핀 산화물 수용액을 얻는 단계;상기 불순물이 제거된 그래핀 산화물 수용액에 산 또는 염기를 투입하여 산도를 조절하여, 그래핀 산화물을 크기별 분리하는 단계; 및상기 크기별 분리된 그래핀 산화물 수용액의 상층액 및 하층액을 분리하는 단계;를 포함하는 그래핀 산화물의 분리방법
3 3
제2항에 있어서,상기 그래핀 산화물 수용액을 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 그래핀 산화물의 분리방법
4 4
제3항에 있어서,상기 초음파 처리시, 상기 그래핀 산화물 수용액의 온도는 50℃ 이하인 그래핀 산화물의 분리방법
5 5
제1항에 있어서,상기 그래핀 산화물은 하이드록실기, 카르보닐기, 카르복실기 및 아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 관능기를 갖는 그래핀 산화물의 분리방법
6 6
제1항에 있어서,상기 산은 염산(HCl), 과염소산(HClO4), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 인산(H3PO4), 아세트산(CH3COOH) 및 탄산(H2CO3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 그래핀 산화물의 분리방법
7 7
제1항에 있어서,상기 염기는 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 및 수산화암모늄(NH4OH)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 그래핀 산화물의 분리방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법에 의해 분리된 상층액 또는 하층액을 준비하는 단계;상기 상층액 또는 하층액에 포함된 그래핀 산화물을 별도 분리한 후, 상기 분리된 그래핀 산화물을 유기 수지를 혼합하여 그래핀 산화물 코팅 용액을 얻는 단계;상기 그래핀 산화물 코팅 용액을 소지강판 상에 도포하여 그래핀 산화물 코팅층을 형성하는 단계;상기 그래핀 산화물 코팅층이 형성된 소지강판을 열처리하여 그래핀 산화물 코팅층을 환원하는 단계;를 포함하는 그래핀 코팅강판의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 그래핀 산화물은 상기 그래핀 산화물 코팅 용액 100중량부에 대하여, 5~80중량부 포함되는 그래핀 코팅강판의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 유기 수지는 상기 그래핀 산화물 코팅 용액 100중량부에 대하여, 25~70중량부 포함되는 그래핀 코팅강판의 제조방법
11 11
제8항에 있어서,상기 유기 수지는, 수분산 우레탄 수지, 수분산 아크릴 수지, 수용성 에폭시 수지, 수용성 폴리에스테르 수지 및 수용성 아미노 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 그래핀 코팅강판의 제조방법
12 12
제8항에 있어서,상기 그래핀 산화물 코팅 용액은 무기금속 졸, 방청제, 유기금속 착화합물 및 가교제 중 1종 이상의 내식성 향상제를 더 포함하며, 상기 내식성 향상제는 상기 그래핀 산화물 코팅 용액 100중량부에 대하여, 0
13 13
제12항에 있어서,상기 그래핀 산화물 코팅 용액은 소포제, 평활제, 왁스 및 용제 중 1종 이상의 첨가제를 더 포함하며, 상기 첨가제는 그래핀 산화물 코팅 용액 100 중량부에 대하여 0
14 14
제8항에 있어서,상기 열처리시, 열처리 온도는 800~900℃인 그래핀 코팅강판의 제조방법
15 15
제8항에 있어서,상기 열처리는 질소(80~100vol%)+수소(0~20vol%)의 분위기 하에서 수행되는 그래핀 코팅강판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.