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주조 시 몰드 플럭스 상에 공급되는 투입재로서,SiO2 성분을 함유하는 제1조성물; 및C 성분을 함유하는 제2조성물;을 포함하고,상기 투입재는 상기 몰드 플럭스와 성분 함량이 상이하며,상기 제1조성물 및 제2조성물을 합한 전체 중량 100%에 대하여,SiO2 성분의 농도가 15 중량% 내지 50 중량%가 되고, C 성분의 농도가 40 중량% 내지 70 중량%가 되며, 나머지는 상기 제1조성물 또는 제2조성물에서 기인하는 기타 불가피한 불순물이 되도록, 상기 제1조성물 및 제2조성물의 중량이 정해지는 투입재
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청구항 1에 있어서,상기 제1조성물은 회화왕겨 및 탄화왕겨 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제2조성물은 카본블랙을 포함하는 투입재
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1조성물의 중량 100%에 대하여,상기 제1조성물은 SiO2 성분을 80 중량% 내지 85 중량% 로 함유하고, C 성분을 2 중량% 내지 5 중량% 로 함유하며, 기타 불가피한 불순물을 함유하는 투입재
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삭제
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1조성물 및 제2조성물은 서로 물리적으로 분리되어 각각 다른 입자를 이루는 투입재
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1조성물 및 제2조성물의 평균 입도는 0
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제1조성물 및 제2조성물을 포함하는 투입재를 준비하는 과정;몰드에 용강을 주입하는 과정;상기 용강의 탕면에 몰드 플럭스를 주입하는 과정;상기 몰드 플럭스 상에 상기 투입재를 공급하는 과정; 및상기 용강을 응고시켜 주편을 주조하는 과정;을 포함하고,상기 제1조성물은 SiO2 성분을 함유하고, 제2조성물은 C 성분을 함유하며,상기 투입재는 상기 몰드 플럭스와 성분 함량이 상이하고,상기 투입재를 준비하는 과정은,상기 투입재의 전체 중량 100%에 대하여, SiO2 성분의 농도가 15 중량% 내지 50 중량%가 되고, C 성분의 농도가 40 중량% 내지 70 중량%가 되며, 나머지는 상기 제1조성물 또는 제2조성물에서 기인하는 기타 불가피한 불순물이 되도록, 상기 제1조성물 및 제2조성물의 중량을 정하는 과정;을 포함하는 주조방법
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청구항 7에 있어서,상기 용강은 상기 용강의 전체 중량 100 %에 대하여 알루미늄 성분을 0
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청구항 7에 있어서,상기 제1조성물은 회화왕겨 및 탄화왕겨 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제2조성물은 카본블랙을 포함하는 주조방법
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청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 투입재를 준비하는 과정은,상기 제1조성물 및 제2조성물을 마련하는 과정;상기 제1조성물 및 제2조성물을 혼합하는 과정;을 포함하는 주조방법
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청구항 10에 있어서,상기 제1조성물 및 제2조성물을 마련하는 과정은,평균입도가 0
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청구항 10에 있어서,상기 제1조성물 및 제2조성물을 혼합하는 과정은,상기 제1조성물 및 제2조성물이 서로 물리적으로 분리되어 각각 다른 입자를 이루도록 혼합하는 과정;을 포함하는 주조방법
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청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 용강을 응고시켜 주편을 주조하는 과정은,상기 용강의 탕면에 형성된 몰드 플럭스의 층에 상기 몰드 플럭스의 층 상에 적층 형성된 투입재의 층을 이용하여 SiO2 성분을 공급하는 과정;을 더 포함하는 주조방법
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청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 투입재는 상기 용강을 보온하고, 상기 몰드 플럭스의 변성을 억제 또는 방지하며,상기 몰드 플럭스는 상기 용강 중의 개재물을 포집 제거하는 주조방법
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청구항 7에 있어서,상기 용강과 상기 몰드 플럭스 사이의 계면을 통하여 상기 용강에서 상기 몰드 플럭스를 향하는 방향으로 Al2O3 성분이 포집되고,상기 몰드 플럭스와 상기 투입재 사이의 계면을 통하여 상기 투입재에서 상기 몰드 플럭스를 향하는 방향으로 SiO2 성분이 보충 공급되는 주조방법
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