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기판, 상기 기판위에 전사된 하부 전도층, 상기 하부 전도층 상에 전사된 상부 전도층 및 상기 상부 전도층과 하부 전도층 사이에 위치하는 반도체 나노와이어층을 포함하는 반도체소자에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 기판 또는 전도층 사이에 수평방향으로 분포하도록 무작위적으로 분산되어 있으며, 휨이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 규소(Silicon, Si), 수정(Quartz), 유리(Glass), 폴리에틸렌 테리프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌네아-프탈레이트(Polyethylenena-phthalate, PEN), 폴리에테르에테르케톤(Polyetheretherketone, PEEK), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리아릴레이트(Polyarylate, PAR), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 또는 폴리이미드(Polyimide, PI)인 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 상부 전도층 및 하부 전도층은 1~100층의 그래핀으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 2족, 3족 원자, 4족, 및 5족 원자를 포함하며, 성장된 기판에서 분리가능 한 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제4항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 알루미늄, 갈륨 또는 인듐이 질소, 비소 또는 인과 결합되어 구성된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제5항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaAs, AlAs, InAs, AlGaAs, InGaAs, InAlGaAs, InP, InGaP, AlGaP, AlGaAsP, InAlGaAsP 또는 InGaAsP를 포함하며, 성장된 기판에서 분리가 가능한 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 길이가 100 nm~10 ㎛인 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제6항에 있어서,상기 반도체소자는 단일 물질계 또는 두 개 이상 물질계를 갖는 나노와이어를 혼합하여 사용하여, 성장된 기판에서 분리가 가능한 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 “하부 그래핀 전도층-나노와이어-상부 그래핀 전도층” 구조를 1층 내지 100층 적층한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 반도체소자는 광센서 또는 태양전지에 사용되는 광전소자 인 것을 특징으로 하는 반도체소자
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