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축방향 산소 결핍 (axial oxygen vacancy)을 포함하는 페로브스카이트 강유전체 입자를 포함하는, 마이크로웨이브 흡수제로서, 상기 축방향 산소 결핍의 양을 조절하는 것에 의하여 상기 페로브스카이트의 유전율 ε=εreal-iεimag에서 실수부 εreal와 허수부 εimag의 비율인 유전 손실 탄젠트(dielectric loss tangent) tanδε의 값이 조절되어 상기 페로브스카이트 강유전체 입자의 마이크로웨이브 흡수가 조절되는 것이고,상기 축방향 산소 결핍을 포함하는 페로브스카이트 강유전체 입자의 상기 tanδε의 값은 상기 축방향 산소 결핍을 포함하지 않는 페로브스카이트 강유전체 입자의 tanδε의 값보다 큰 값을 갖는 것인,마이크로웨이브 흡수제
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 강유전체 입자가 분산된 고분자 매트릭스를 추가 포함하는, 마이크로웨이브 흡수제
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트는 BaTiO3, PbTiO3, SrTiO3, FeTiO3, ZnSnO3, 또는 PbZrTiO3을 포함하는 것인, 마이크로웨이브 흡수제
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 강유전체 입자는 나노미터 크기 내지 마이크로미터 크기를 갖는 것인, 마이크로웨이브 흡수제
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 강유전체 입자는 상기 산소 결핍으로 인하여 상기 입자 내 강유전성 도메인 벽 (ferroelectric domain wall)의 움직임을 둔화시켜 유전 손실(dielectric loss)를 향상시키는 것인, 마이크로웨이브 흡수제
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용융염 방법에 의하여 페로브스카이트 강유전체 입자를 제조하고,불활성 기체 하에서 페로브스카이트 강유전체 입자를 1차 어닐링하여 축방향 산소 결핍을 포함하는 페로브스카이트 강유전체 입자를 수득하는 것을 포함하는, 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 6 항, 및 제 7 항 중 어느 한 항의 마이크로웨이브 흡수제의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 어닐링 후에 상기 페로브스카이트 강유전체 입자를 냉각하고 상기 불활성 기체 하에서 2차 어닐링을 수행하는 것을 추가 포함하는, 마이크로웨이브 흡수제의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 1차 어닐링 과정에서 상기 불활성 기체의 유속을 조절함으로써 상기 페로브스카이트 강유전체 입자에 도입되는 상기 축방향 산소 결핍의 양이 조절되는 것인, 마이크로웨이브 흡수제의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 1차 어닐링은 500℃ 내지 1,000℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 마이크로웨이브 흡수제의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 2차 어닐링은 400℃ 내지 600℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 마이크로웨이브 흡수제의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 불활성 기체는 H2, Ar, He, N2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 기체를 포함하는 것인, 마이크로웨이브 흡수제의 제조 방법
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