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반도체기판;상기 반도체기판 상부에 형성되며, 상기 반도체기판과 서로 다른 도전형을 가지는 에미터층;상기 에미터층 상에 위치하는 접촉저항감소층;상기 접촉저항감소층 상에 위치하는 전면 패시베이션 층;상기 접촉저항감소층과 접촉하여 상기 에미터 층에 전기적으로 연결되는 알루미늄 전면전극;상기 반도체기판 하부에 위치하는 후면 패시베이션 층; 및상기 후면 패시베이션 층 하에 위치하고, 개구부를 통해 상기 반도체기판에 전기적으로 연결되는 후면전극을 포함하고,상기 접촉저항감소층은 상기 알루미늄 전면전극과 상기 에미터층 사이의 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 접촉저항감소층은 LiFx를 포함하고, 상기 x는 0
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제1항에 있어서,상기 후면전극과 접촉된 상기 반도체기판의 일영역에 후면 전계 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제1항에 있어서,상기 반도체기판은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제1항에 있어서,상기 반도체기판은 p형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제4항에 있어서,상기 p형 불순물은 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전면 패시베이션층은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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10
제1항에 있어서,상기 후면 패시베이션층은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제1항에 있어서,상기 후면전극은 Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ni, Mg, Mn, Ba ITO(인듐주석산화물) 또는 ZnO(산화아연)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전면 패시베이션층 상에 위치하는 반사방지코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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제12항에 있어서,상기 반사방지코팅층은 질화 실리콘(SiNx), 실리콘(SiO2), 산화 티타늄(TiO2), 불화칼슘(CaF2) 또는 산화세륨(CeO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지
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