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(a) PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate)을 포함하는 용액을 기판 상에 코팅하여 상기 용액을 포함하는 코팅층을 기판 상에 형성하는 단계;(b) 상기 코팅층의 소정 부분에 광을 조사하여 상기 소정부분에 패턴화된 PEDOT:PSS와 상기 소정부분 이외에 상기 코팅층을 포함하는 프리-패턴화된(pre-patterned) 기판을 제조하는 단계; 및(c) 상기 프리-패턴화된 기판에서 상기 소정부분 이외의 코팅층을 제거하여 상기 소정부분에 패턴화된 PEDOT:PSS 패턴을 포함하는 전도성 고분자 박막을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 소정부분에 패턴화된 PEDOT:PSS 패턴은 고체화된 것이고,상기 광의 파장이 500nm 내지 10㎛인 것인, 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,상기 광이 레이저, 다 파장 램프, 제온 램프(Xeon lamp), 단 파장 램프, 모노크로미터(monochrometer), 플래시 램프(Flash lamp) 및 이들을 광원으로 하는 광학 기구 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,단계 (a) 이후,상기 코팅층을 소프트 베이크(soft bake)하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제3항에 있어서,상기 소프트 베이크(soft bake)가 10 내지 200℃의 온도에서 열처리하여 상기코팅층의 용매의 일부를 증발시키는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제4항에 있어서,상기 소프트 베이크(soft bake)가 1 내지 1,000초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,상기 용액이 PEDOT:PSS 고분자 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,상기 용액의 농도가 0
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제6항에 있어서,상기 용매가 극성 용매인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,상기 용액이 전도성 물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제9항에 있어서,상기 전도성 물질이 금(Au), 니켈(Ni), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 알루미늄(Al), 은(Ag), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr) 및 망간(Mn) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서, 상기 광 조사에 의해 상기 PEDOT:PSS을 포함하는 용액에 포함된 용매가 증발하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서, 상기 코팅층에 상기 광을 직접 조사하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,상기 광의 세기가 단위 면적(1㎠) 및 단위 두께(1nm)를 기준으로 1Х107 내지 1Х1010W/1㎠·nm인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,단계 (c)에서, 코팅층 제거는 세정 용매에 상기 프리-패턴화된 기판을 침지(Dipping) 또는 세정(Washing)하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서, 상기 광 조사가 상기 코팅층에 포함된 PEDOT:PSS 고분자 내부에 열을 발생시키는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제17항에 있어서,상기 내부에 발생된 열에 의해 PEDOT:PSS 고분자의 저항이 감소하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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제1항에 있어서,상기 PEDOT:PSS 패턴을 포함하는 전도성 고분자 박막의 두께가 5nm 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 패턴형성 방법
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다수개의 변성 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate))코어쉘을 포함하고,다수개의 상기 변성 PEDOT:PSS 코어쉘 중 어느 하나의 변성 PEDOT:PSS 코어쉘은 PEDOT을 포함하는 코어; 상기 코어의 표면 중 일 부분에 위치하고, PSS을 포함하는 쉘; 및상기 코어의 표면 중 타 부분의 전부 또는 일부에 위치하고, 상기 변성 PEDOT:PSS 코어쉘에 인접한 다른 하나의 변성 PEDOT:PSS 코어쉘의 코어에 접하여 연결되는 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함하는 연결부;를 포함하는 변성 PEDOT:PSS 코어쉘 클러스터
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제20항에 있어서,상기 변성 PEDOT:PSS 코어쉘 클러스터가 박막 또는 패턴 형성에 사용하기 위한 것을 특징으로 하는 변성 PEDOT:PSS 코어쉘 클러스터
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(1) PEDOT을 포함하는 코어 및 상기 코어의 표면에 위치하고, PSS을 포함하는 쉘을 포함하는 다수의 PEDOT:PSS 코어쉘에 광을 조사하여 상기 코어를 가열하는 단계; 및(2) 가열된 코어의 열이 상기 쉘에 전달되어 상기 쉘의 일부가 녹아 재배열하여 상기 코어와 인접한 다른 코어를 서로 연결하고 상기 PEDOT을 포함하는 연결부를 형성하여 제20항에 따른 변성 PEDOT/PSS 코어쉘 클러스터를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 광의 파장이 500nm 내지 10㎛인 것인, 변성 PEDOT/PSS 코어쉘 클러스터의 제조방법
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