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멤브레인 기재; 및상기 멤브레인 기재 상에 적층되며, 산화물이 포함된 광촉매층을 포함하고,상기 광촉매층은 광이 조사됨으로써 친수 특성이 더 커지는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 1항에 있어서,상기 광촉매층은 광이 차단되면 소수 특성을 갖고, 광이 조사되면 친수 특성을 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 1항에 있어서,상기 멤브레인은 광이 차단되면 제1플럭스를 갖고,상기 멤브레인은 광이 조사되면 상기 제1플럭스 보다 큰 제2플럭스를 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 1항에 있어서,상기 광촉매층은 산화아연, 산화티타늄, 산화철, 산화바나듐, 산화텅스텐 및 산화세륨 중 어느 하나 또는 이의 조합을 포함하는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 1항에 있어서,상기 광촉매층은 원자층 적층법(ALD)으로 상기 멤브레인 기재 상에 적층된 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 2항에 있어서,상기 광촉매층은 광이 조사된 이후, 광을 차단하면 다시 소수 특성을 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 2항에 있어서,상기 광촉매층은 315 nm ∼ 400 nm 파장 대역의 광이 차단되면 소수 특성을 갖고,상기 광촉매층은 315 nm ∼ 400 nm 파장 대역의 광이 조사되면 친수 특성을 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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8
멤브레인 기재; 및상기 멤브레인 기재 상에 적층되며, 산화물이 포함된 광촉매층을 포함하고,상기 광촉매층은 광이 차단되면 물에 대해 제1접촉각을 갖고,상기 광촉매층은 광이 조사되면 물에 대해 상기 제1접촉각 보다 작은 제2접촉각을 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 8항에 있어서,상기 제1접촉각은 20° 이상이고,상기 제2접촉각은 20° 미만인 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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10
제 8항에 있어서,상기 광촉매층은 산화아연, 산화티타늄, 산화철, 산화바나듐, 산화텅스텐 및 산화세륨 중 어느 하나 또는 이의 조합을 포함하는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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11
제 8항에 있어서,상기 광촉매층은 원자층 적층법(ALD)으로 상기 멤브레인 기재 상에 적층된 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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제 8항에 있어서,상기 광촉매층은 광이 조사된 이후, 광을 차단하면 다시 물에 대해 상기 제1접촉각을 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인
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반응 챔버 내에 멤브레인 기재를 준비하는 멤브레인 준비 단계; 및상기 멤브레인 기재 상에 산화물이 포함된 광촉매층을 증착하는 광촉매층 증착 단계; 를 포함하고,상기 광촉매층 증착 단계에서 증착된 상기 광촉매층은 광이 차단되면 소수 특성을 갖고, 광이 조사되면 친수 특성을 갖는 광 감응 가변 친수성 멤브레인 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 광촉매층 증착 단계에서 증착된 상기 광촉매층은 산화아연, 산화티타늄, 산화철, 산화바나듐, 산화텅스텐 및 산화세륨 중 어느 하나 또는 이의 조합을 포함하는 광 감응 가변 친수성 멤브레인 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 광촉매층 증착 단계는 원자층 적층법(ALD)을 포함하는 광 감응 가변 친수성 멤브레인 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 광촉매층 증착 단계의 사이클 횟수가 기설정된 횟수인지 판단하고, 상기 광촉매층 증착 단계의 사이클 횟수가 기설정된 횟수를 만족하면 상기 광촉매층 증착 단계를 종료하는 상기 광촉매층 증착 횟수 판단 단계; 를 더 포함하는 광 감응 가변 친수성 멤브레인 제조 방법
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