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이산 캐패시턴스 스위칭 회로 및 이를 포함하는 캐패시터 어레이 회로

  • 기술번호 : KST2020000293
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이산 캐패시턴스 스위칭 회로는, DC 디커플링 캐패시터, 다이오드, 단위 캐패시터 및 바이어스 회로를 포함한다. 상기 DC 디커플링 캐패시터는 교류 신호가 인가되는 파워 노드 및 제1 노드 사이에 연결된다. 상기 다이오드는 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결된다. 상기 단위 캐패시터는 상기 제2 노드 및 접지 전압이 인가되는 기준 노드 사이에 연결된다. 상기 바이어스 회로는 상기 제1 노드에 제1 DC 전압을 인가하고 상기 제2 노드에 제2 DC 전압을 인가하여 상기 다이오드의 스위칭 동작을 제어한다. 이산 캐패시턴스 스위칭 회로는 캐패시턴스 값을 빠르고 정밀하게 변화시킴으로써 반도체 회로의 성능 및 신뢰성을 향상시키고, 이를 반도체 설비에 적용하여 반도체 제조 공정 시간을 단축하고 생산성을 향상할 수 있다.
Int. CL H03H 19/00 (2006.01.01) H03H 11/28 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H03H 19/004(2013.01) H03H 19/004(2013.01) H03H 19/004(2013.01)
출원번호/일자 1020180074607 (2018.06.28)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0001741 (2020.01.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진호 경기도 수원시 영통구
2 김현배 경기도 용인시 수지구
3 김건우 대전광역시 유성구
4 문건우 대전광역시 유성구
5 박무현 대전광역시 유성구
6 백재일 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0635986-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
교류 신호가 인가되는 파워 노드 및 제1 노드 사이에 연결되는 DC 디커플링 캐패시터;상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되는 다이오드;상기 제2 노드 및 접지 전압이 인가되는 기준 노드 사이에 연결되는 단위 캐패시터; 및상기 제1 노드에 제1 DC 전압을 인가하고 상기 제2 노드에 제2 DC 전압을 인가하여 상기 다이오드의 스위칭 동작을 제어하는 바이어스 회로를 포함하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
2 2
제1 항에 있어서,상기 다이오드가 턴온되는 제1 동작 모드에서 제1 캐패시턴스 값을 상기 파워 노드에 제공하고 상기 다이오드가 턴오프되는 제2 동작 모드에서 상기 제1 캐패시턴스 값보다 작은 제2 캐패시턴스 값을 상기 파워 노드에 제공하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
3 3
제1 항에 있어서,상기 다이오드의 캐소드 전극은 상기 제1 노드에 연결되고 상기 다이오드의 애노드 전극은 상기 제2 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
4 4
제3 항에 있어서,상기 제1 노드에 인가되는 상기 제1 DC 전압을 변경하여 상기 다이오드의 스위칭 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
5 5
제3 항에 있어서,상기 바이어스 회로는 상기 교류 신호의 피크 전압보다 크거나 같은 바이어스 전압을 상기 제1 DC 전압으로서 상기 제1 노드에 인가하여 상기 다이오드를 턴오프시키는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
6 6
제3 항에 있어서,상기 바이어스 회로는 상기 다이오드가 턴온되는 제1 동작 모드에서 상기 접지 전압을 상기 제1 DC 전압으로서 상기 제1 노드에 인가하고 상기 접지 전압을 상기 제2 DC 전압으로서 상기 제2 노드에 인가하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
7 7
제6 항에 있어서,상기 바이어스 회로는 상기 다이오드가 턴오프되는 제2 동작 모드에서 상기 접지 전압보다 높은 바이어스 전압을 상기 제1 DC 전압으로서 상기 제1 노드에 인가하고 상기 접지 전압을 상기 제2 DC 전압으로서 상기 제2 노드에 인가하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
8 8
제7 항에 있어서,상기 바이어스 전압은 상기 교류 신호의 피크 전압보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
9 9
제3 항에 있어서,상기 바이어스 회로는,상기 제1 노드 및 스위칭 노드 사이에 연결되는 쵸크 인덕터;상기 스위칭 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 제1 스위치; 및상기 스위칭 노드 및 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 노드 사이에 연결되는 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
10 10
제9 항에 있어서,상기 제1 스위치가 턴온되고 상기 제2 스위치가 턴오프될 때 상기 다이오드가 턴온되고,상기 제1 스위치가 턴오프되고 상기 제2 스위치가 턴온될 때 상기 다이오드가 턴오프되는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
11 11
제9 항에 있어서,상기 바이어스 회로는,상기 제2 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 DC 인덕터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
12 12
제1 항에 있어서,상기 파워 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 기준 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
13 13
제12 항에 있어서,상기 다이오드가 턴온되는 제1 동작 모드에서 상기 기준 캐패시터의 캐패시턴스 값 및 상기 단위 캐패시터의 캐패시턴스 값의 합산 캐패시턴스 값을 상기 파워 노드에 제공하고,상기 다이오드가 턴오프되는 제2 동작 모드에서 상기 기준 캐패시터의 캐패시턴스 값을 상기 파워 노드에 제공하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
14 14
제1 항에 있어서,상기 교류 신호의 피크 전압보다 크거나 같은 바이어스 전압을 발생하여 상기 바이어스 회로에 제공하는 바이어스 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
15 15
교류 신호가 인가되는 파워 노드 및 제1 노드 사이에 연결되는 DC 디커플링 캐패시터;상기 제1 노드에 캐소드 전극이 연결되고 제2 노드에 애노드 전극이 연결되는 다이오드;상기 제2 노드 및 접지 전압이 인가되는 기준 노드 사이에 연결되는 단위 캐패시터;상기 제1 노드 및 스위칭 노드 사이에 연결되는 쵸크 인덕터;상기 스위칭 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 제1 스위치;상기 스위칭 노드 및 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 노드 사이에 연결되는 제2 스위치;상기 제2 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 DC 인덕터; 및상기 파워 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 기준 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
16 16
제15 항에 있어서,상기 교류 신호의 피크 전압보다 크거나 같은 상기 바이어스 전압을 발생하여 상기 바이어스 노드에 인가하는 바이어스 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
17 17
제15 항에 있어서,상기 제1 스위치가 턴온되고 상기 제2 스위치가 턴오프될 때 상기 다이오드가 턴온되고,상기 제1 스위치가 턴오프되고 상기 제2 스위치가 턴온될 때 상기 다이오드가 턴오프되는 것을 특징으로 하는 이산 캐패시턴스 스위칭 회로
18 18
교류 신호가 인가되는 파워 노드 및 접지 전압이 인가되는 기준 노드 사이에 연결되는 기준 캐패시터; 및상기 파워 노드 및 상기 기준 노드 사이에 병렬로 연결되는 복수의 이산 캐패시턴스 스위칭 회로들을 포함하고,상기 이산 캐패시턴스 스위칭 회로들의 각각은, 상기 파워 노드 및 제1 노드 사이에 연결되는 DC 디커플링 캐패시터; 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되는 다이오드; 상기 제2 노드 및 상기 기준 노드 사이에 연결되는 단위 캐패시터; 및 상기 제1 노드에 제1 DC 전압을 인가하고 상기 제2 노드에 제2 DC 전압을 인가하여 상기 다이오드의 스위칭 동작을 제어하는 바이어스 회로를 포함하는 캐패시터 어레이 회로
19 19
제18 항에 있어서,상기 복수의 이산 캐패시턴스 스위칭 회로들에 각각 포함되는 복수의 단위 캐패시터들은 동일한 캐패시턴스 값을 갖는 것을 특징으로 하는 캐패시터 어레이 회로
20 20
제18 항에 있어서,상기 복수의 이산 캐패시턴스 스위칭 회로들에 각각 포함되는 복수의 단위 캐패시터들은 서로 다른 캐패시턴스 값들을 갖는 것을 특징으로 하는 캐패시터 어레이 회로
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1 CN110661509 CN 중국 FAMILY
2 US10796883 US 미국 FAMILY
3 US20200006038 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN110661509 CN 중국 DOCDBFAMILY
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