| 요약 |
본 발명은 공격이 제어된 열전소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전소자를 구성하는 공격 내에 나노 크기의 나노기공 발포성 고분자와 마이크로이상의 크기의 마이크로기공 발포성 고분자를 형성하여 온도 구배를 열전현상이 발생되는 고온부와 저온부의 전극에 집중되게 하여 동일 열량에서도 높은 출력을 생산할 수 있는 공격이 제어된 열전소자에 관한 것이다. 상기한 목적은, n 타입과 p 타입이 교번 배치되는 열전반도체 레그와, 상기 레그를 연결하는 전극과, 상기 전극을 연결하는 절연판으로 이루어진 열전소자에 있어서, n 타입과 p 타입의 상기 레그 사이에 침투되는 발포성 고분자를 포함하며,상기 발포성 고분자는, 상기 전극 부근에 나노크기의 작은 기공이 형성되는 나노기공 발포성 고분자;와 상기 열전소자의 중심부에 마이크로이상 크기의 기공이 형성되는 마이크로기공 발포성 고분자;로 이루어져 상기 전극 부근에 온도 구배가 집중되어 동일한 열량에서도 높은 출력을 생산할 수 있는 것을 특징으로 하는 공격이 제어된 열전소자에 의해서 달성된다.
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