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니켈 전구체 및 코발트 전구체를 C1 내지 C4 알코올에 용해하여 제1혼합물을 제조하는 제1단계;상기 제1혼합물에 이황화탄소(carbon disulfide; CS2) 및 펜타메틸디에틸렌트리아민(pentamethyldiethylenetriamine; PMDTA)을 첨가하고 교반하여 제2혼합물을 제조하는 제2단계;상기 제2혼합물을 멸균기에 넣고 반응시키는 제3단계;상기 반응시킨 제2혼합물을 상온까지 냉각시킨 후 원심분리하여 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체를 획득하는 제4단계;상기 나노구조체를 세척 및 건조시키는 제5단계; 및상기 건조된 나노구조체를 소성하는 제6단계;를 포함하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 니켈 전구체는 질산니켈 6수화물(nickel nitrate hexahydrate), 아세트산니켈 4수화물(nickel acetate tetraacetate), 염화니켈 6수화물(nickel chloride hexahydrate), 황산니켈 6수화물(nickel sulfate hexahydrate) 및 암모늄황산니켈 6수화물(ammonium nickel sulfate hexahydrate)로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 코발트 전구체는 질산코발트 6수화물(cobalt nitrate hexahydrate), 아세트산코발트 4수화물(cobalt acetate tetraacetate), 염화코발트 6수화물(cobalt chloride hexahydrate), 황산코발트 6수화물(cobalt sulfate hexahydrate) 및 암모늄황산코발트 6수화물(ammonium cobalt sulfate hexahydrate)로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는 150 내지 220℃에서 5 내지 15시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제6단계는 50 내지 120℃에서 8 내지 16시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노구조체는 단일 공정의 용매열 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체의 제조방법
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체
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제 7항에 있어서, 상기 나노구조체는 슈퍼커패시터 전극, 2차전지 전극, 촉매 또는 센서의 소재인 것을 특징으로 하는, 중공 구조를 가지는 탄소 함유 NiCo2S4 나노구조체
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