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구리 입자를 에칭하는 에칭 단계, 그리고상기 에칭된 구리 입자를 은 화합물이 포함된 도금 용액에 투입하여 은 도금하는 도금 단계를 포함하며,상기 에칭 단계는 구리 입자를 순수에 넣고 교반시켜 구리 입자의 탈지와 에칭을 동시에 수행하는 단계이고,상기 에칭 단계의 분산 속도는 1600 rpm 내지 3400 rpm으로 상승 유지되고,상기 도금 단계의 분산 속도는 3400 rpm 내지 3800 rpm으로 상승 유지되는 것이며,상기 에칭 단계는 분산 속도가 1600 rpm 내지 3400 rpm으로 상승되는 제 1 에칭 단계 및 분산 속도가 1600 rpm 내지 3400 rpm의 범위 내의 속도로 일정하게 유지되는 제2 에칭 단계를 포함하는 것인은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 은 도금된 구리 입자를 표면 처리하는 표면 처리 단계를 더 포함하는 것인은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 표면 처리 단계의 분산 속도는 3800 rpm 내지 3600 rpm으로 감소 유지되는 것인은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 구리 입자의 형태는 덴드라이트(dendrite)형, 구형, 덴드리머(dendrimer)형, 침상형, 및 플레이크(flake)형 중 어느 하나인 것인은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 은 화합물은 질산은(AgNO3), 염화은(AgCl), 플루오르화은(AgF), 황산은(Ag2SO4), 시안화은(AgCN) 및 시안화은칼륨(KAg(CN)2)으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도금 용액은 안정제를 더 포함하는 것인은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 안정제는 펜테틴산(Pentetic acid), 티오요소(Thiourea), 2-메르캅토-2-이미다졸린(2-mercapto-2-imidazoline), 아세틸 티오요소 (1-acetyl-2-thiourea) 및 에틸렌 티오요소(Ethylene Thiourea)로 이루어진 군에서 선택되는 것인은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도금되는 은의 함량은 상기 구리 입자 전체 중량에 대해 5 내지 20 중량%인 것인 은 도금 구리 입자의 제조 방법
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제1항, 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조되는 은 도금 구리 입자
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