| 1 |
1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 위치하되, 상기 반도체 기판과 다른 도전형을 갖는 에미터층;상기 에미터층 상에 위치하는 제1 패시베이션층;상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 반도체 기판 하부에 위치하되, 제2 컨택홀을 포함하는 제2 패시베이션층; 및상기 제2 컨택홀을 통하여 상기 반도체 기판과 접하여 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고,상기 제2 패시베이션층은 음의 고정 전하가 주입된 것을 특징으로 하고,상기 제2 컨택홀 내에서 상기 제2 패시베이션층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하여, 열처리시 상기 제2 패시베이션층의 음의 고정 전하가 상기 제2 전극으로 빠져나가는 것을 방지하는 방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제2 패시베이션층은,상기 반도체 기판 하부에 위치하는 제1 실리콘 산화물층;상기 제1 실리콘 산화물층 하부에 위치하는 실리콘 질화물층; 및상기 실리콘 질화물층 하부에 위치하는 제2 실리콘 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 2 |
2
◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 3 |
3
◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 패시베이션층은 실리콘 질화물층, 실리콘 산화물층 또는 산화 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1 패시베이션층은 양의 고정 전하를 갖는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 방지층은 실리콘 질화물보다 밴드갭이 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 8 |
8
◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 9 |
9
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 위치하되, 상기 반도체 기판과 다른 도전형을 갖는 에미터층;상기 에미터층 상에 위치하는 제1 패시베이션층;상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 반도체 기판 하부에 위치하되, 제2 컨택홀을 포함하는 제2 패시베이션층; 및상기 제2 컨택홀을 통하여 상기 반도체 기판과 접하여 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고,상기 제2 패시베이션층은 음의 고정 전하가 주입된 것을 특징으로 하고,상기 제2 컨택홀 내에서 상기 제2 패시베이션층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하여, 열처리시 상기 제2 패시베이션층의 음의 고정 전하가 상기 제2 전극으로 빠져나가는 것을 방지하는 방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제2 패시베이션층은,상기 반도체 기판 하부에 위치하는 제1 실리콘 산화물층;상기 제1 실리콘 산화물층 하부에 위치하는 실리콘 질화물층; 및상기 실리콘 질화물층 하부에 위치하는 캡핑층을 포함하고,상기 캡핑층은 실리콘 질화물보다 밴드갭이 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 방지층은 실리콘 질화물보다 밴드갭이 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 11 |
11
◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제2 전극과 접하는 상기 반도체 기판의 일 영역은 국부적 후면 전계 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 13 |
13
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 위치하되, 상기 반도체 기판과 다른 도전형을 갖는 에미터층;상기 에미터층 상에 위치하되, 제1 컨택홀을 포함하는 제1 패시베이션층;상기 제1 컨택홀을 통하여 상기 에미터층과 접하여 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 반도체 기판 하부에 위치하되, 제2 컨택홀을 포함하는 제2 패시베이션층; 및상기 제2 컨택홀을 통하여 상기 반도체 기판과 접하여 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 패시베이션층은 음의 고정 전하가 주입된 것을 특징으로 하고,상기 제1 컨택홀 내에서 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제1 전극 사이에 위치하여, 열처리시 상기 제1 패시베이션층의 음의 고정 전하가 상기 제1 전극으로 빠져나가는 것을 방지하는 방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제1 패시베이션층은,상기 에미터층 상에 위치하는 제1 실리콘 산화물층;상기 제1 실리콘 산화물층 상에 위치하는 실리콘 질화물층; 및상기 실리콘 질화물층 상에 위치하는 제2 실리콘 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 14 |
14
◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 15 |
15
◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,상기 방지층은 실리콘 질화물보다 밴드갭이 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 18 |
18
◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 19 |
19
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 위치하되, 상기 반도체 기판과 다른 도전형을 갖는 에미터층;상기 에미터층 상에 위치하되, 제1 컨택홀을 포함하는 제1 패시베이션층;상기 제1 컨택홀을 통하여 상기 에미터층과 접하여 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 반도체 기판 하부에 위치하되, 제2 컨택홀을 포함하는 제2 패시베이션층; 및상기 제2 컨택홀을 통하여 상기 반도체 기판과 접하여 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 패시베이션층은 음의 고정 전하가 주입된 것을 특징으로 하고,상기 제1 컨택홀 내에서 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제1 전극 사이에 위치하여, 열처리시 상기 제1 패시베이션층의 음의 고정 전하가 상기 제1 전극으로 빠져나가는 것을 방지하는 방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제1 패시베이션층은,상기 에미터층 상에 위치하는 제1 실리콘 산화물층;상기 제1 실리콘 산화물층 상에 위치하는 실리콘 질화물층; 및상기 실리콘 질화물층 상에 위치하는 캡핑층을 포함하고,상기 캡핑층은 실리콘 질화물보다 밴드갭이 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 방지층은 실리콘 질화물보다 밴드갭이 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션 특성이 향상된 태양전지
|
