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반도체 소자의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2020000584
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기저막 상에 금속층을 형성하는 제 1 단계; 상기 금속층 상에 산화물로 이루어진 유전체층을 형성하는 제 2 단계; 상기 유전체층 상에 레이저를 조사함으로써 상기 금속층으로부터 배출되는 열을 이용하여 상기 금속층을 산화시키고 상기 유전체층을 열처리하는 제 3 단계; 및 상기 열처리된 유전체층 상에 금속 전극층을 형성하는 제 4 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01)
CPC H01L 21/7685(2013.01) H01L 21/7685(2013.01) H01L 21/7685(2013.01) H01L 21/7685(2013.01)
출원번호/일자 1020180076619 (2018.07.02)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0003626 (2020.01.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최리노 서울특별시 마포구
2 유경문 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0650067-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2019-0018099-87
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0414085-73
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0414110-27
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0671444-13
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-1175559-41
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1307499-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0064132-80
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0064133-25
12 등록결정서
Decision to grant
2020.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0339019-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘을 포함하는 기저막 상에 금속층을 형성하는 제 1 단계;상기 금속층 상에 상기 금속층을 구성하는 금속의 산화물로 이루어진 유전체층을 형성하는 제 2 단계;상기 유전체층 상에 레이저를 조사함으로써 상기 금속층으로부터 배출되는 열을 이용하여 상기 금속층을 산화시키고 상기 유전체층을 열처리하는 제 3 단계; 및상기 열처리된 유전체층 상에 금속 전극층을 형성하는 제 4 단계;를 포함하고, 상기 제 3 단계에서 상기 금속층은 상기 산화물의 여분의 산소 원자들과 반응함으로써 상기 기저막 상에 실리콘 산화막이 형성되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하며,상기 제 4 단계에서 상기 열처리된 유전체층은 상기 제 2 단계의 상기 유전체층및 상기 제 3 단계에서 산화된 상기 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는,반도체 소자의 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Zr층이며, 상기 산화물은 ZrO2인 것을 특징으로 하는, 반도체 소자의 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 파장이 445nm을 포함하는 연속파 청색 레이저인, 반도체 소자의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 인하대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 시퀀셜 소자 적층을 위한 초저온 전공정 집적 기술 개발
2 과학기술정보통신부 인하대학교 나노·소재기술개발 초절전 IoT 소자 결합 3차원 플랫폼 집적 공정과 최적 아키텍처 개발, 검증