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소스 전극;드레인 전극;게이트 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 음이온성 작용기를 가진 전도성 고분자를 포함하는 채널층;상기 게이트 전극과 상기 채널층을 연결하는 양이온 함유 하이드로겔 층을 포함하고,상기 양이온 함유 하이드로겔 층에서 양이온은 해리된 상태로 존재하고,상기 게이트 전극에 양의 전압이 인가되는 경우에 상기 양이온 함유 하이드로겔 층 내의 양이온이 상기 채널층으로 주입되어 상기 채널층의 음전하를 보상하여 상기 채널층의 전기 전도도를 감소시키는,상기 전도성 고분자는 폴리 (3,4- 에틸렌 디옥 시티 오펜):폴리 (스티렌 설포 네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly(styrenesulfonate), PEDOT : PSS)인 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극, 채널층 및 게이트 전극은 동일평면상에 형성되고,상기 게이트 전극과 상기 채널층 상으로 상기 게이트 전극 및 상기 채널층을 전부 또는 일부를 덮도록 하이드로겔 층이 형성되고,상기 소스 전극, 드레인 전극, 채널층 및 게이트 전극은 모두 동일한 전도성 고분자인 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 양이온은수소이온 및 금속이온(이때, 금속은 알칼리금속 또는 알칼리토금속이다) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 양이온 함유 하이드로 겔층은전해질 화합물에서 해리된 양이온을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제6항에 있어서,상기 양이온 함유 하이드로 겔층은 양이온으로 수소이온, 알칼리금속 이온 및 알칼리토금속 이온 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 양이온 함유 하이드로 겔층은 하이드로 겔 내에서 해리되는 양이온을 포함하는 전해질 화합물을 첨가제로 하여 하이드로 겔과 혼합하여 형성되고,상기 양이온 함유 하이드로 겔층은 상기 전해질 화합물에서 유래하는 수소 이온 및 하이드로 겔의 가수분해 생성물에서 유래하는 수소 이온이 양이온으로 담지된 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 양이온 함유 하이드로 겔은 젤라틴 하이드로 겔인,전기화학 트랜지스터
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제2항에 있어서,고분자 필름을 베이스 기재로 한 것을 특징으로 하는,전기화학 트랜지스터
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제1항 내지 제2항, 제5항 내지 제8항 및 제10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전기화학 트랜지스터를 포함하는 전기회로를 갖는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제12항에 있어서,상기 전기회로는 인버터 회로 또는 논리회로인 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제1항 내지 제2항, 제5항 내지 제8항 및 제10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전기화학 트랜지스터를 포함하는, 생체 삽입형 전자소자
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제14항에 있어서,생분해성(biodegradable)을 갖는 것을 특징으로 하는, 생체 삽입형 전자소자
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제14항에 있어서,음식센서인 것을 특징으로 하는, 생체 삽입형 전자소자
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제1항 내지 제2항, 제5항 내지 제8항 및 제10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전기화학 트랜지스터를 포함하는, 생체 부착형 전자소자
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