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하이브리드 불순물 활성화 방법

  • 기술번호 : KST2020000607
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법이 개시된다. 상기 불순물 활성화 방법은 (a) 반도체 기판에 불순물을 주입하는 단계, (b) 상기 반도체 기판을 500℃ 내지 550℃에서 열처리하여 상기 불순물을 제1차 활성화하는 단계, 및 (c) 상기 불순물이 주입된 반도체 기판의 표면에 가시광 레이저를 조사하여 상기 불순물을 제2차 활성화하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/22 (2006.01.01) H01L 21/268 (2006.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020180078879 (2018.07.06)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0005310 (2020.01.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현용 서울특별시 서초구
2 김승근 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍석 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 **길 ***, ***호(구로동,JnK 디지털타워)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0668429-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0093595-10
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0606484-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체 기판에 불순물을 주입하는 단계;(b) 상기 반도체 기판을 500℃ 내지 550℃에서 열처리하여 상기 불순물을 제1차 활성화하는 단계; 및(c) 상기 불순물이 주입된 반도체 기판의 표면에 가시광 레이저를 조사하여 상기 불순물을 제2차 활성화하는 단계를 포함하는 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정을 통해 상기 불순물을 제1차 활성화하는 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 불순물은 3족 또는 5족 원소인 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (c) 단계는 에너지 밀도가 0
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 Si, Ge 및 SiGe 중 어느 하나로 이루어진 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법
6 6
제1항 내지 제5항의 불순물 활성화 방법에 의해 제조된 반도체 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020009281 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한양대학교 선행공정-플랫폼기술연구개발사업 초절전 3D IoT 소자 플랫폼 구현을 위한 저온 기반 단위 공정개발