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스퍼터링공정으로 형성된 스퍼터링층; 및스퍼터링층 상에 원자층증착공정으로 형성된 원자층박막층;을 포함하는 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서, 원자층박막층은 스퍼터링층의 표면조도보다 낮은 표면조도를 나타내는 것을 특징으로 하는 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서, 스퍼터링층은 SiOx, SiCOx, SiNx 및 SiONx 중 어느 하나를 포함하고,원자층박막층은 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층박막구조체
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청구항 3에 있어서, 스퍼터링층은 80 내지 130nm이고, 원자층박막층은 15 내지 40nm인 것을 특징으로 하는 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서, 스퍼터링층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 AZO(ZnO:Al) 중 어느 하나를 포함하고,원자층박막층은 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층박막구조체
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청구항 5에 있어서, 스퍼터링층은 100 내지 200nm이고, 원자층박막층은 15 내지 40nm인 것을 특징으로 하는 다층박막구조체
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7
스퍼터링공정으로 스퍼터링층을 형성하는 제1단계; 및스퍼터링층 상에 원자층증착공정으로 원자층박막층을 형성하는 제2단계;를 포함하는 다층박막구조체 제조방법
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8
청구항 7에 있어서, 스퍼터링층이 노출되도록 원자층박막층의 일부를 제거하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층박막구조체 제조방법
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9
청구항 8에 있어서, 제3단계는 스퍼터링층 에칭속도 및 원자층박막층의 에칭속도가 상이하도록 에칭공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 다층박막구조체 제조방법
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10
스퍼터링공정으로 형성된 투명전도성산화물층; 및투명전도성산화물층 상에 원자층증착공정으로 형성된 산화물층;을 포함하는 투명전극으로서, 산화물층은 투명전도성산화물층이 노출되도록 일부가 제거된 것을 특징으로 하는 투명전극
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11
기판 상에 스퍼터링공정으로 스퍼터링층을 형성하는 스퍼터링부;스퍼터링부로부터 이동한 잔여가스를 제거하기 위한 버퍼영역부; 및버퍼영역부를 통과한 스퍼터링층 상에 원자층증착공정으로 원자층박막층을 형성하기 위한 원자층증착부;를 포함하는 다층박막구조체 제조장치
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청구항 11에 있어서, 기판은 롤투롤방식으로 스퍼터링부, 버퍼영역부 및 원자층증착부를 이동하는 것을 특징으로 하는 다층박막구조체 제조장치
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