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1 내지 100 분자층의 두께를 갖는 나노시트 구조를 갖는 도체-반도체 측면 이종접합구조에 있어서,결정질 이황화 몰리브덴(MoS2)으로 이루어져 반도체 특성을 갖는 제1 영역 및 결정질 탄화 몰리브덴(Mo2C)으로 이루어져 도체 특성을 갖는 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역의 상기 탄화 몰리브덴(Mo2C) 결정은 상기 제1 영역의 측면 상에서 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 결정으로부터 에피텍셜하게 성장되어 형성되고,상기 제1 영역의 이황화 몰리브덴(MoS2)은 1 내지 4 분자층으로 이루어지며, 상기 제2 영역의 탄화 몰리브덴(Mo2C)은 7 내지 100 분자층으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조
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제1항에 있어서, 상기 이황화 몰리브덴(MoS2)과 상기 탄화 몰리브덴(Mo2C) 사이의 접촉 저항은 1
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제1항에 있어서, 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 결정의 (100)평면과 상기 탄화 몰리브덴(Mo2C) 결정의 (102) 평면은 128°내지 134°의 각도를 형성하는 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조
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도체-반도체 측면 이종접합구조의 제조방법에 있어서,7 내지 100 분자층의 두께를 갖고 서로 인접하게 위치하는 제1 영역과 제2 영역을 구비하는 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트 중 상기 제1 영역의 이황화 몰리브덴을 1 내지 4 분자층이 잔류하도록 식각하는 제1 단계; 및 수소(H2) 및 메탄(CH4)의 존재 하에 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트를 어닐링하여 상기 제2 영역의 이황화 몰리브덴(MoS2)을 탄화 몰리브덴(Mo2C)으로 화학적으로 변환시키는 제2 단계를 포함하고,상기 제1 영역의 반도체 특성을 갖는 결정질 이황화 몰리브덴(MoS2)과 상기 제2 영역의 도체 특성을 갖는 결정질 탄화 몰리브덴(Mo2C)은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계선에서 이종접합되며,상기 제2 영역의 상기 탄화 몰리브덴(Mo2C) 결정은 상기 제1 영역의 측면 상에서 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 결정으로부터 에피텍셜하게 성장되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제2 단계는, 챔버 내에 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트를 배치시킨 후 아르곤(Ar)은 주입하면서 제1 온도까지 승온시키는 단계; 상기 제1 온도까지 승온된 후 상기 챔버 내에 수소(H2) 및 메탄(CH4) 가스를 주입하면서 제1 시간 동안 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트를 어닐링하는 단계; 및 상기 챔버 내부를 상온까지 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 온도는 700 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 시간은 1 내지 3 시간인 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 챔버 내부에서 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트와 함께 이의 상부에 구리 포일을 배치시키는 것을 특징으로 하는, 도체-반도체 측면 이종접합구조의 제조방법
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기판 상에 서로 이격된 제1 전극층과 제2 전극층 그리고 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 배치되고 상기 제1 전극층으로부터 상기 제2 전극층으로의 전하 이동의 채널을 제공하는 채널층을 포함하는 스위칭 소자에 있어서, 상기 채널층은 상기 제1 전극층의 일측면과 제1 계면을 형성하는 제1 측면 및 상기 제2 전극층의 일측면과 제2 계면을 형성하는 제2 측면을 구비하고, 결정질 이황화 몰리브덴(MoS2)으로 형성되고,상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 상기 제1 계면 및 제2 계면에서 각각 상기 이황화 몰리브덴(MoS2) 결정으로부터 에피텍셜하게 성장된 결정질 탄화 몰리브덴(Mo2C)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 스위칭 소자
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제11항에 있어서, 상기 채널층은 1 내지 4 분자층의 이황화 몰리브덴(MoS2)을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극층 각각은 7 내지 100 분자층의 탄화 몰리브덴(Mo2C)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스위칭 소자
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