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반도체 소자 및 이를 포함하는 센서

  • 기술번호 : KST2020000741
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기재; 및 상기 기재의 적어도 일면의 전부 또는 일부에 배치된 반도체 박막을 포함하며, 상기 반도체 박막은 표면에 일 방향으로 스크래치가 형성되어 있고, 상기 반도체 박막은 전부 또는 일부에 일 방향으로 형성된 나노 리본 구조를 포함하는 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서에 관한 것으로, 상기 반도체 소자는 간단한 공정을 통해 제조할 수 있으며, 상기 반도체 소자를 포함하는 센서는 감도가 우수하고 작동온도가 낮아져 소비전력이 감소될 수 있다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G01N 27/04 (2006.01.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020180076430 (2018.07.02)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0003535 (2020.01.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020200061873;
심사청구여부/일자 Y (2018.07.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대전광역시 유성구
2 이건희 부산광역시 동구
3 채수상 대전광역시 유성구
4 정두원 대전광역시 유성구
5 최민 부산광역시 해운대구
6 장현주 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리채 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0647900-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0171299-58
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0028478-28
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0496372-72
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0505943-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0940397-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0940398-07
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0827808-09
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0047406-41
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0047407-97
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0206085-65
13 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0402303-20
14 보정요구서
Request for Amendment
2020.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0058933-31
15 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0412098-33
16 법정기간연장승인서
2020.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0059859-28
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2020.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0520518-74
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0520566-55
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0520565-10
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0421435-85
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번호 청구항
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기재 상에 반도체 박막 예비층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 박막 예비층보다 강도가 큰 입자를 상기 반도체 박막 예비층의 표면과 접촉시켜 일 방향으로 스크래치를 형성하여 나노 리본 구조를 포함하는 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 반도체 박막은 금속 산화물 반도체 박막을 포함하며,상기 스크래치에 의해 상기 반도체 박막이 상승된 감도를 갖는 반도체 소자의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 입자는 다이아몬드 입자인 반도체 소자의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 입자는 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 반도체 소자의 제조방법
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DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020009413 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국화학연구원 원천기술개발사업 (EZ)고감도 가스센서 소재 및 신개념 센서소자 개발
2 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 (Sub) 3D Device Printing 기반 HMI용 One-patch 소자 기술 개발사업