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실리콘 나노박막의 두께 측정 방법

  • 기술번호 : KST2020000752
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 나노박막의 두께 측정방법 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 나노박막의 두께 측정방법은 제1 실리콘막, 상기 제1 실리콘막 상에 형성된 제1 실리콘 산화물막 및 상기 제1 실리콘 산화막 상에 형성된 제2 실리콘막을 순차적으로 포함하는 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 제2 실리콘막의 표면을 열산화(thermal oxidation)를 진행하여 열 산화막을 형성하는 동시에 실리콘 나노박막(silicon nanomembrane)을 형성하는 단계; 상기 열 산화막을 제거하는 단계; 상기 실리콘 나노박막을 투명 기판 상에 전사하는 단계; 및 초저주파 라만 산란 분광법(ultralow frequency Raman spectroscopy)으로 상기 실리콘 나노박막의 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼을 측정하여 상기 실리콘 나노박막의 두께를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01B 11/06 (2006.01.01) G01J 3/44 (2006.01.01) G01N 21/84 (2006.01.01) G01N 21/65 (2006.01.01)
CPC G01B 11/0616(2013.01)G01B 11/0616(2013.01)G01B 11/0616(2013.01)G01B 11/0616(2013.01)G01B 11/0616(2013.01)G01B 11/0616(2013.01)
출원번호/일자 1020180079521 (2018.07.09)
출원인 연세대학교 산학협력단, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0005919 (2020.01.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.09)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종현 서울특별시 서대문구
2 정현식 서울특별시 강남구
3 이선우 서울특별시 동작구
4 김강원 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0674182-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0065625-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0278132-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0613825-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0613826-66
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0776963-82
9 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2020.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5003823-96
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번호 청구항
1 1
제1 실리콘막, 상기 제1 실리콘막 상에 형성된 제1 실리콘 산화물막 및 상기 제1 실리콘 산화물막 상에 형성된 제2 실리콘막을 순차적으로 포함하는 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 제2 실리콘막의 표면을 열산화(thermal oxidation)를 진행하여 열 산화막을 형성하는 동시에 실리콘 나노박막(silicon nanomembrane)을 형성하는 단계;상기 열 산화막을 제거하는 단계;상기 실리콘 나노박막을 투명 기판 상에 전사하는 단계; 및초저주파 라만 산란 분광법(ultralow frequency Raman spectroscopy)으로 상기 실리콘 나노박막의 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼의 라만 강도(Raman intensity) 및 초저주파 라만 피크 위치(ultralow-frequency Raman peak position)를 측정하여 상기 실리콘 나노박막의 두께를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
2 2
제1항에 있어서,상기 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼은 광학 포논 모드(Optical Phonon Mode) 및 종파 음향 포논 모드(Longitudinal Acoustic Phonon Mode)에 의한 산란광의 라만 신호인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
3 3
제1항에 있어서,상기 실리콘 나노박막의 라만 강도(Raman intensity)는 상기 실리콘 나노박막의 두께에 의존하여 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
4 4
제1항에 있어서,상기 실리콘 나노박막의 흡수율(absorption rate)은 상기 실리콘 나노박막의 두께에 의존하여 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
5 5
제1항에 있어서,상기 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼의 가장 강한 피크(intense peak)는 상기 실리콘 나노박막의 두께가 감소함에 따라 청색 쉬프트(blue-shifted)되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
6 6
제1항에 있어서,상기 실리콘 나노 박막의 두께는 상기 열산화 시간(Thermal oxidation time)에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
7 7
제6항에 있어서,상기 실리콘 나노박막의 두께는 2mm 내지 18mm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
8 8
제1항에 있어서,상기 실리콘 나노박막을 투명 기판 상에 전사하는 단계는,상기 실리콘 나노박막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
9 9
제1항에 있어서,초저주파 라만 산란 분광법(ultralow frequency Raman spectroscopy)으로 상기 실리콘 나노박막의 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼을 측정하여 상기 실리콘 나노박막의 두께를 검출하는 단계는,상기 실리콘 나노박막 상에 레이저를 조사하는 단계; 및상기 조사된 레이저에 대응하여 상기 실리콘 나노박막으로부터 출사된 산란광을 분광하여 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼을 수득하는 단계; 및상기 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼을 기초로 상기 실리콘 나노박막의 두께를 도출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
10 10
제9항에 있어서,상기 실리콘 나노박막의 라만 강도(Raman intensity)는 상기 조사된 레이저의 여기 에너지에 의존하여 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
11 11
제9항에 있어서,상기 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼을 기초로 상기 실리콘 나노박막의 두께를 도출하는 단계는,광탄성 모델(photoelastic model)에 기초하여 계산되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
12 12
제9항에 있어서,상기 초저주파 영역을 포함한 라만 스펙트럼을 기초로 상기 실리콘 나노박막의 두께를 도출하는 단계는 다중 반사 모델(multiple reflection model)에 기초하여 계산되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노박막의 두께 측정방법
지정국 정보가 없습니다
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