| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
금속재의 피처리물이 삽입되는 관 형상의 저온 플라즈마 발생부를 1개 이상 구비하는 챔버; 를 포함하고,저온 플라즈마 발생부는 유전체관 및 상기 유전체관 외측에 구비된 제1전극을 포함하고, 상기 제1전극은 전압인가용 전극이고, 금속재의 피처리물이 접지전극이고,상기 저온 플라즈마 발생부와 슬라이딩 방식으로 결합하는 전도성 마운트부재를 포함하는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 유전체관은 세라믹, 고분자 폴리머, 또는 유리로 구성되는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 유전체관은 일측으로 피처리물이 삽입되고, 타측에 활성종 배출 수단을 더 구비하는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 활성종 배출 수단은,상기 유전체관에 연결되는 튜브;상기 튜브에 연결된 펌프; 및상기 펌프의 전방 또는 후방에 구비된 오존제거부를 포함하는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,상기 챔버는 복수의 저온 플라즈마 발생부가 개별적으로 작동가능 하도록 수납되는 2개 이상의 수납부로 구분되는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 10 |
10
제5항에 있어서,상기 챔버 내에 저온 플라즈마 발생부가 수평으로 고정되어 있는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 11 |
11
제5항에 있어서, 상기 마운트부재는 상기 저온 플라즈마 발생부 내부로 피처리물의 하부가 삽입 가능하도록 상기 피처리물의 상부를 고정하는 고정부를 포함하는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 마운트부재의 일측에는 상기 챔버의 일면에 구비되는 돌출레일을 따라 슬라이딩할 수 있는 가이드홈부를 포함하는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 마운트부재의 좌우측 말단부는 상기 저온 플라즈마 발생부에 형성된 삽입홈에 결합하는 돌출부를 더 포함하여, 상기 저온 플라즈마 발생부와 상기 마운트부재가 결합시 저온 플라즈마 발생부에서 발생하는 활성종이 상부로 배출되지 않도록 하는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 14 |
14
제5항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리물은 임플란트 픽스처인, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 15 |
15
제5항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리물을 1mm/sec 이상의 속도로 초친수처리를 할 수 있는, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 16 |
16
제5항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,표면처리된 상기 피처리물의 수접촉각이 20도 이하인, 저온 플라즈마 표면처리 장치
|
| 17 |
17
제5항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,오존 배출량은 0
|
| 18 |
18
제5항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,제1전극에 0
|
| 19 |
19
제5항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 저온 플라즈마 표면처리 장치를 이용하여 저온 플라즈마 표면처리를 하는 방법에 있어서,저온 플라즈마 발생부의 유전체관으로 피처리물을 삽입하는 단계;유전체관으로 외부 공기를 흡입하는 단계; 제1전극에 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계; 및플라즈마에 의해 피처리물의 표면처리를 하는 단계를 포함하는, 저온 플라즈마 표면처리 방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 플라즈마를 발생시키는 단계에서 0
|
