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강유전체(ferroelectrics) 물질을 이용하는 광 위상 변환기로서,기판 상에 형성된 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 형성되는 제1 상유전체층;상기 제1 상유전체층 상에 형성되는 강유전체층;상기 강유전체층 상에 형성되는 제2 상유전체층; 및상기 제2 상유전체층 상에 형성되며 상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층을 포함하되,상기 강유전체층과 상기 상유전체층들 각각의 두께는, 상기 광 위상 변환기가 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖거나 전하수집효율을 변화시키도록 결정되는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기
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제1항에 있어서,상기 강유전체는 고유전율(high-k)을 갖는 물질에 금속 원소를 첨가하거나 두께를 조절하여 강유전성을 갖도록 만든 물질, 페로브스카이트 유전체, 강유전 특성을 가지는 유기물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기
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제2항에 있어서, 상기 강유전체는,HfO2에 금속 원소를 첨가한 Y-doped HfO2(이트리움 첨가 하프니움 옥사이드), Si-doped HfO2(실리콘 첨가 하프니움 옥사이드), Al-doped HfO2(알루미늄 첨가 하프니움 옥사이드), Sr-doped HfO2(스트론튬 첨가 하프니움 옥사이드), Gd-doped HfO2(가돌리늄 첨가 하프니움 옥사이드), La-doped HfO2(란타넘 첨가 하프니움 옥사이드), 또는 HfZrO2(하프니움 지르코니움 옥사이드)를 포함하거나,PZT(납 지르코니움 타이타늄 옥사이드), BaTiO3(바륨 타이타늄 옥사이드), PVDF-TrFE 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층과 연결된 제1 전극; 및상기 제2 반도체층과 연결된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기
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제4항에 있어서,상기 강유전체층에 포함된 강유전체 및 상기 상유전체층에 포함된 상유전체의 비(ration)는 상기 광 위상 변환기의 전하 수집 효율을 결정하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기
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제1항에 있어서,상기 제1 상유전체층, 상기 강유전체층, 및 상기 제2 상유전체층으로 구성되는 절연막층의 두께는 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층의 두께보다 얇게 형성되고, 광 집속의 세기를 결정하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 광 위상 변환기를 구비하는 것을 특징으로 하는 광 간섭계
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기판 상에 형성된 제1 반도체층;상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층;상기 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성되는 절연막층;상기 제1 반도체층과 연결된 제1 전극;상기 제2 반도체층과 연결된 제2 전극;상기 제1 전극 또는 제2 전극에 연결되며 강유전체를 포함하는 커패시터; 및상기 커패시터를 충전하기 위한 회로를 포함하되,상기 절연막층은 상유전체로 구성된 산화막층을 포함하되, 상기 강유전체와 상기 상유전체의 비(ratio)는 광 위상 변환기가 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖거나 전하수집효율을 변화시키도록 결정되는 것을 특징으로 하는, SIS형 광 위상 변환기와 강유전체 커패시터의 복합구조체
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제8항에 있어서,상기 강유전체는 고유전율(high-k)을 갖는 물질에 금속 원소를 첨가하거나 두께를 조절하여 강유전성을 갖도록 만든 물질, 페로브스카이트 유전체, 강유전 특성을 가지는 유기물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기와 강유전체 커패시터의 복합구조체
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제9항에 있어서, 상기 강유전체는,HfO2에 금속 원소를 첨가한 Y-doped HfO2(이트리움 첨가 하프니움 옥사이드), Si-doped HfO2(실리콘 첨가 하프니움 옥사이드), Al-doped HfO2(알루미늄 첨가 하프니움 옥사이드), Sr-doped HfO2(스트론튬 첨가 하프니움 옥사이드), Gd-doped HfO2(가돌리늄 첨가 하프니움 옥사이드), La-doped HfO2(란타넘 첨가 하프니움 옥사이드) 또는 HfZrO2(하프니움 지르코니움 옥사이드)를 포함하거나,PZT(납 지르코니움 타이타늄 옥사이드), BaTiO3(바륨 타이타늄 옥사이드), PVDF-TrFE 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기와 강유전체 커패시터의 복합구조체
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강유전체(ferroelectrics) 물질을 이용하는 광 위상 변환기의 제조방법으로서,기판 상에 형성된 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층을 제공하는 단계;상기 제1 반도체층을 가공하여 광 도파관을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층의 표면에 각각 산화막층과 강유전체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층의 강유전체층과 상기 제2 반도체층의 강유전체층을 서로 접합하는 단계;상기 제2 반도체층을 가공하여 상기 제1 반도체층의 광 도파관에서 제2 반도체층으로도 빛이 도달할 수 있는 테이퍼 및 광 도파관의 복합구조를 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 상부 클래딩 및 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 강유전체층과 상기 산화막층의 두께는, 상기 광 위상 변환기가 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖거나 전하수집효율을 변화시킬 수 있도록 결정되는, 광 위상 변환기의 제조방법
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강유전체(ferroelectrics) 물질을 이용하는 광 위상 변환기의 제조방법으로서,기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층을 가공하여 광 도파관을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 산화막층과 강유전체층을 형성하는 단계;상기 산화막층 상에 상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층을 가공하여 상기 제1 반도체층의 광 도파관에서 제2 반도체층으로도 빛이 도달할 수 있는 테이퍼 및 광 도파관의 복합구조를 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 상부 클래딩 및 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 강유전체층과 상기 산화막층의 두께는, 상기 광 위상 변환기가 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖거나 전하수집효율을 변화시킬 수 있도록 결정되는, 광 위상 변환기의 제조방법
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강유전체(ferroelectrics) 물질을 이용하는 광 위상 변환기의 제조방법으로서,기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층을 가공하여 광 도파관을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층의 표면에 상유전체를 포함하는 산화막층을 형성하는 단계;상기 산화막층 상에 상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층을 가공하여 제1 반도체층의 광 도파관에서 제2 반도체층으로도 빛이 도달할 수 있는 테이퍼 및 광 도파관의 복합구조를 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 상부 클래딩 및 전극을 형성하는 단계;강유전체를 포함하는 커패시터를 상기 전극에 연결하는 단계; 및 상기 커패시터를 충전하기 위한 회로를 연결하는 단계를 포함하되,상기 강유전체와 상기 상유전체의 비(ratio)는 광 위상 변환기가 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖거나 전하수집효율을 변화시키도록 결정되는 것을 특징으로 하는, 광 위상 변환기의 제조방법
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