맞춤기술찾기

이전대상기술

구리 박막의 건식 식각방법

  • 기술번호 : KST2020001063
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리 박막의 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구리 박막에 대하여 에틸렌디아민 및 불활성 가스를 포함하는 혼합식각가스의 농도 등을 포함한 최적의 식각공정 조건을 적용함으로써, 종래 구리 박막의 식각법에 비해 재증착이 발생하지 않으면서 빠른 식각속도 및 높은 이방성 (또는 식각 경사)의 식각프로파일을 제공할 수 있는 구리 박막의 식각방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01)
CPC H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01)
출원번호/일자 1020190115341 (2019.09.19)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2073050-0000 (2020.01.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.19)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정지원 서울특별시 양천구
2 차문환 부산광역시 기장군
3 임은택 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 공간 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 ***, *층(둔산 *동, 산업은행B/D)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0958567-82
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-1142579-92
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-1145425-95
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2019.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2019-0053080-86
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0919413-58
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2019.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-1331508-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-1331487-78
9 등록결정서
Decision to grant
2020.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0051690-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 에틸렌디아민((NH2)2C2H4) 및 불활성 가스를 포함하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 구리 박막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리 박막의 식각방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 하드 마스크는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), TiO2, Ti, TiN, Ta, W 또는 비정질 카본(amorphous carbon) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서의 상기 혼합가스 내 에틸렌디아민의 부피가 25vol% 내지 75vol%의 범위인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 공정 온도는 10℃ 내지 25℃인 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
5 5
(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 에틸렌디아민((NH2)2C2H4), 알코올 및 불활성 가스를 포함하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 구리 박막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리 박막의 식각방법
6 6
제5항에 있어서,상기 (a) 단계의 하드 마스크는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), TiO2, Ti, TiN, Ta, W 또는 비정질 카본(amorphous carbon) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
7 7
제5항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 알코올은 메탄올(CH3OH), 에탄올(C2H5OH), 이소플로필 알콜(CH3CHOHCH3), 프로판올 (CH3CH2CH2OH), 부탄올(C4H9OH) 및 펜탄올(C5H12OH)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
8 8
제5항에 있어서,상기 (b) 단계에서 에틸렌디아민과 알코올의 혼합 부피비는 5:1 내지 3:1의 범위인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
9 9
제5항에 있어서,상기 (b) 단계에서의 상기 혼합가스 내 에틸렌디아민과 알코올의 부피의 합이 25vol% 내지 75vol%의 범위인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
10 10
제5항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 공정 온도는 10℃ 내지 25℃인 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조되며, 80˚ 이상의 식각경사를 가지는 구리박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술평가관리원 인하대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(시스템반도체) 구리 건식 식각용 비온실 식각가스 개발 및 구리 박막의 건식 식각공정 개발 (3차년도)
2 (사)한국반도체연구조합 인하대학교 산학협력단 미래소자 원천기술개발사업 [민간] 구리 건식 식각용 비온실 식각가스 개발 및 구리 박막의 건식 식각공정 개발 (3차년도)