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GO(Graphene oxide) 파이버와 상기 GO 파이버에 도핑 증착되는 전구체가 수용되는 전기로;상기 전기로에 연결되어 상기 전기로 내부에 진공을 형성시키는 진공펌프;상기 전기로와 상기 진공펌프 사이에 연결되어 상기 전기로의 진공을 조절하는 조절기;를 포함하는 그래핀 파이버 도핑장치
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제1항에 있어서,상기 전기로는 튜브형인 것을 특징으로 하는 그래핀 파이버 도핑장치
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제1항에 있어서,상기 GO 파이버 및 상기 전구체는 상기 전기로의 센터부에 위치되는 것을 특징으로 하는 그래핀 파이버 도핑장치
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제1항에 있어서,상기 전구체는 질소 전구체이며, 우레아(urea) 또는 멜라민(melamine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 파이버 도핑방법
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GO(Graphene oxide) 파이버와 상기 GO 파이버에 도핑 증착될 전구체를 전기로 센터부에 배치시키는 준비단계;상기 전기로를 제1차 가열하면서 상기 전기로 내 수분 및 공기를 제거시키고 진공을 형성시키는 진공단계;상기 진공단계에서 형성된 진공분위기에서 상기 전기로를 제2차 가열한 뒤 다시 상온으로 냉각시켜 질소원자가 도핑된 GO 파이버를 얻는 진공확산단계;상기 질소원자가 도핑된 GO 파이버를 도핑 그래핀 파이버로 환원시키도록 제3차 가열하는 열처리단계;를 포함하는 그래핀 파이버 도핑방법
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제5항에 있어서,상기 제1차 가열 온도는 섭씨 70도인 것을 특징으로 하는 그래핀 파이버 도핑방법
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제5항에 있어서,상기 제2차 가열은 일정하게 증가하는 제1가열 속도로 제1도달 온도에 도달할 때까지 가열시키고, 상기 제1도달 온도에서 제1시간 동안 유지시키는 그래핀 파이버 도핑방법
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제7항에 있어서,상기 제1가열 속도는 분당 섭씨 5도이며, 상기 제1시간은 12시간이고, 상기 제1도달 온도는 섭씨 400도이며, 상기 제1도달 온도까지 가열 후 실온까지 자연냉각시키는 냉각단계를 더 포함하는 그래핀 파이버 도핑방법
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제5항에 있어서,상기 제3차 가열은 아르곤(Ar)분위기에서 일정하게 증가하는 제2가열 속도로 제2도달 온도에 도달할 때까지 가열시켜 제2시간 동안 열처리하는 그래핀 파이버 도핑방법
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제9항에 있어서,상기 제2가열 속도는 분당 섭씨 1도이며, 상기 제2도달 온도는 섭씨 800도이고, 상기 제2시간은 1시간인 그래핀 파이버 도핑방법
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