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균일한 패턴의, 경화된 레진; 및상기 레진의 내외부에 분산되는 복수의 나노입자;를 포함하고,상기 나노입자는 열분해성 유기고분자인 코어; 및 상기 코어의 표면을 코팅하며, 무기고분자인 쉘;을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지고,상기 코어는 열처리에 의하여 중공을 포함하고,상기 나노입자의 중심으로부터 상기 코어 대 상기 쉘의 두께비는 10 : 1 내지 3 : 1 사이이고,상기 레진 및 상기 나노입자의 질량비는 1 : 0
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제 4항에 있어서,상기 레진은 실록산(siloxane), MSQ(methyl silsesquioxane), HSQ(hydrogen silsesquioxane), THPS(perhydropolysilazane), 폴리실라잔(polysilazane) 중 하나 이상의 물질인 것인, 광산란층
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제 5항에 있어서,상기 레진은 HSQ(hydrogen silsesquioxane)인 것인, 광산란층
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기판을 준비하는 제1단계;나노입자가 내외부에 분산된 레진에 패턴을 형성하는 제2단계; 상기 레진의 표면을 경화하는 제3단계;상기 레진을 기판 상에 인쇄하는 제4단계; 및상기 레진을 열처리 하는 제5단계;를 포함하고,상기 나노입자는 열분해성 유기고분자인 코어; 및 상기 코어의 표면을 코팅하며, 무기고분자인 쉘;을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지고,상기 코어는 열처리에 의하여 중공을 포함하고,상기 나노입자의 중심으로부터 상기 코어 대 상기 쉘의 두께비는 10 : 1 내지 3 : 1 사이이고,상기 레진 및 상기 나노입자의 질량비는 1 : 0
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제 8항에 있어서,상기 제5단계를 통하여 상기 나노입자는 중공을 포함하는 중공입자가 되는 것인, 광산란층의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 제3단계는,특정 패턴이 음각된 몰드 상에 상기 레진을 코팅하고,UV-O3를 사용하여 레진의 표면을 경화하는 것인, 광산란층의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 제5단계는 400℃ 내지 600℃에서 열처리 하는 것인, 광산란층의 제조방법
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제 13항의 제조방법에 따라 제조되며,파장이 450nm인 전자기파에 대하여 굴절률이 1
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