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표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법

  • 기술번호 : KST2020001208
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 1 단계; 및 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법을 제공한다.
Int. CL C23C 16/32 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01) C23C 16/04 (2006.01.01) C23C 16/02 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01)
출원번호/일자 1020180083021 (2018.07.17)
출원인 한국과학기술원, 포항공과대학교 산학협력단, 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0008847 (2020.01.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강일석 대전광역시 서구
2 유권재 대전광역시 서구
3 김희연 세종특별자치시 새롬
4 최경근 경상북도 포항시 남구
5 정종완 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
3 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0705403-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0053061-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0015990-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0112244-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0535985-12
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0535986-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
14 등록결정서
Decision to grant		 2020.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0616873-87
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번호 청구항
1 1
기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제1 단계; 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제2 단계;상기 분할영역마다 형성된 상기 결정질의 탄화실리콘 박막에 소자 구조체 및 센서 구조체 중의 적어도 어느 하나를 형성하는 제3 단계; 및상기 분할영역의 경계에 대응하도록 상기 기판을 소잉(sawing)하여 복수의 개별칩을 수득하는 제4 단계;를 포함하며, 상기 제1 단계는 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 증착하기 전에 상기 기판 상에 기저막을 형성하는 단계; 상기 기저막을 상기 분할영역의 경계에 대응하도록 패터닝함으로써 선패턴(prior pattern)을 형성하는 단계; 상기 선패턴이 형성된 상기 기판 상에 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 선패턴은 내측이 오목한 형태인 폐쇄 패턴이며, 상기 탄화실리콘 박막이 증착되는 두께는 상기 선패턴의 높이 보다 크지 않도록상기 분할영역마다 형성된 상기 결정질의 탄화실리콘 박막은 상기 폐쇄 패턴의 내측에 각각 증착된 박막인 것을 특징으로 하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계에서 상기 분할영역의 크기는 상기 제 2 단계에서 상기 결정질의 탄화실리콘 박막에 인가되는 스트레스로 인해 탄화실리콘 박막의 말림 현상을 방지할 수 있도록 결정되는 것을 특징으로 하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 증착 공정은 플라즈마 강화 화학적 기상 증착(PECVD) 공정인 것을 특징으로 하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법
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5 5
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6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 나노종합기술원 나노·소재기술개발 SiC 기반 극한환경형 센서용 고온 소재 및 공정 기술 개발
2 과학기술정보통신부 포항공과대학교 나노·소재기술개발 SiC 기반 극한환경형 센서용 공정플랫폼 기술개발