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기판 상에 페로브스카이트(perovskite) 박막을 형성하는 정전 분무 장치로,페로브스카이트 전구체 용액이 분사되는 중심 노즐과 상기 중심 노즐을 감싸도록 배치되며, 공기보다 내전압(dielectric strength)이 큰 쉬스 가스(sheath gas)가 분사되는 외곽 노즐을 구비하는 동축 이중 노즐; 및상기 중심 노즐을 통해 분사되는 페로브스카이트 전구체 용액을 대전하기 위해 상기 중심 노즐에 전기장을 인가하는 전기장 인가 수단;을 포함하며,상기 쉬스 가스와 상기 전기장 인가 수단에 의해 인가된 전기장에 의해 상기 페로브스카이트 전구체 용액을 미세 액적 형태로 분무하여 페로브스카이트 박막을 형성하고,상기 페로브스카이트 전구체 용액은 50~300μL/min의 유량으로 공급되며, 상기 중심 노즐의 지름은 50~500μm이고, 상기 쉬스 가스는 0
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체 용액은 methylammonium iodide (MAI), methylammonium bromide (MABr), methylammonium chloride (MACl), formamidinium iodide (FAI), lead(II) iodide (PbI2), lead(II) chloride (PbCl2), lead(II) bromide (PbBr2), cesium iodide (CsI) 및 rubidium iodide (RbI) 중 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 쉬스 가스는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제3항에 있어서,상기 쉬스 가스는 건조한 질소 기체인 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 쉬스 가스는 상온~100℃의 온도로 공급되는 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 외곽 노즐의 단면적의 넓이는 0
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제1항에 있어서,상기 동축 이중 노즐과 상기 기판과의 거리는 10~30cm인 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 정전 분무 장치는 상기 기판을 가열하는 기판 가열 수단을 더 구비하며,상기 기판 가열 수단을 통해 상기 기판을 50~70℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 정전 분무 장치는 습도 조절 수단을 더 구비하며,상기 습도 조절 수단을 통해 상기 정전 분무 장치 내의 상대습도를 25~30%로 조절하는 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 미세 액적의 지름은 10μm 이하인 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막의 증착 속도가 5nm/s 이상인 것을 특징으로 하는 정전 분무 장치
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