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희토류 원소, 천이금속, 고분자 물질 및 용매가 혼합되어 소스 용액이 제조되는 소스 용액 제조 단계(S100);상기 소스 용액이 전기 방사되어 희토류-천이금속계 일차원 구조체가 제조되는 전기 방사 단계(S200);상기 희토류-천이금속계 일차원 구조체가 열처리되어 산화되는 열처리 단계(S300); 및 상기 산화된 희토류-천이금속계 일차원 구조체가 환원되어 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체가 제조되는 환원 단계(S400); 를 포함하고, 상기 환원 단계(S400)에서, 상기 희토류-천이금속계 일차원 구조체는, 10-7 torr 내지 10-5 torr 범위의 압력 조건 하에서 승화되어 확산되는 환원제의 접촉에 의하여 환원되는 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스 용액 제조 단계(S100)에서,상기 고분자 물질은, 폴리 에테르술폰(Polyethersulfone; PES), 폴리 메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate; PMMA), 폴리 아라미드(Polyparaphenylene terephthalamide; Polyaramid), 폴리 비닐피롤리돈(Polyvinyl Pyrrolidone; PVP), 폴리 비닐알콜(Polyvinyl alchol; PVA), 플루오르화 폴리 비닐리덴(Polyvinylidene Fluoride; PVDF), 폴리 비닐아세테이트(Polyvinyl acetate; PVAC), PLLA(Poly L-lactic acid), 폴리 에틸렌옥사이드(Polyethylent oxide; PEO), 폴리 아크릴릭니트릴(Polya crylic nitrile; PAN), 폴리 카보네이트(Polycarbonate; PC) 및 폴리 에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephtalate; PET)로 이루어지는 군(群)에서 선택되는 고분자 물질 중 어느 하나인 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스 용액 제조 단계(S100)에서,상기 고분자 물질은, 소스 용액 전체 중량의 3 내지 5wt% 첨가되는 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원 단계(S400)에서, 상기 희토류-천이금속계 일차원 구조체는, 승화되어 확산되는 환원제의 접촉에 의하여 환원되는 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체가 세척되어, 반응 부산물이 제거되는 세척 단계(S500)를 더 포함하는 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 희토류-천이금속계 영구자석 일차원 구조체 제조 방법에 사용되는 환원 장치(10)로서: 상기 환원 장치(10)는,희토류 천이금속계 일차원 구조체를 고진공하에서 환원시키기 위한 내부 공간을 정의하는 환원 챔버(11); 상기 환원 챔버(11)의 내부에 배치되고, 환원제가 장입되는 환원 도가니(13); 상기 환원 도가니(13)에 장입된 상기 환원제가 승화되어 확산되도록 가열하는 가열부(15); 및상기 환원 도가니(13)의 상방에 해당하는 상기 환원 챔버(11)의 내부에 배치되고, 상기 가열부(15)에 의하여 가열됨으로써 승화되어 확산된 상기 환원제와 접촉되도록 희토류-천이금속계 일차원 구조체가 안착되는 안착부(17); 를 포함하고, 상기 환원 챔버(11)의 내부 공간이 10-7 torr 내지 10-5 torr 범위의 압력으로 유지된 상태에서 상기 희토류-천이금속계 일차원 구조체가 승화되어 확산되는 환원제와의 접촉에 의하여 환원되는 환원 장치
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제 6 항에 있어서,상기 안착부(17)는, 상기 환원 도가니(13)에 장입된 상기 환원제가 승화되어 확산되는 방향으로 상기 환원제로부터 이격되게 배치되고, 상기 안착부(17)의 상면에 상기 희토류-천이금속계 일차원 구조체가 안착되는 환원 장치
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제 7 항에 있어서,상기 안착부(17)에는 승화되어 확산된 상기 환원제가 유동되는 다수개의 유동 개구(19)가 형성되는 환원 장치
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