1 |
1
N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극;상기 N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극 상에 형성되는 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성되는 광활성층;상기 광활성층 상에 적어도 1층 이상 형성되는 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성되는 P형 도펀트가 도핑된 제2 그래핀 전극을 포함하며,상기 N형 도펀트는 TETA(triethylenetetramine)이고, 상기 P형 도펀트는 TFSA(bis(trifluoromethanesulfonyl)-amide)이며,상기 제1 그래핀 전극은 0
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 N형 도펀트는 상기 제1 그래핀 전극에 포함되는 단일층 그래핀(single-layer graphene) 박막으로부터 전하(charge)를 공여(donate)하고, 상기 P형 도펀트는 제2 그래핀 전극에 포함되는 단일층 그래핀 박막으로부터 전하를 수용(accept)하여, 상기 반투명 및 유연 태양전지의 각층의 계면에 축적되는 전하량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극은 단일층 그래핀 박막에 상기 N형 도펀트가 도핑되어 N형 전극으로 사용되는 동시에 DC 전도도/광학적 전도도(σDC/σop)의 수치가 35 내지 500을 갖는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 P형 도펀트가 도핑된 제2 그래핀 전극은 단일층 그래핀 박막에 상기 P형 도펀트가 도핑되어 P형 전극으로 사용되는 동시에 DC 전도도/광학적 전도도(σDC/σop)의 수치가 35 내지 500을 갖는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 반투명 및 유연 태양전지는 상기 N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극의 하부에 형성되는 제1 기재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 반투명 및 유연 태양전지는 상기 P형 도펀트가 도핑된 제2 그래핀 전극의 상부에 형성되는 제2 기재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지
|
8 |
8
삭제
|
9 |
9
삭제
|
10 |
10
제1항에 있어서,상기 광활성층은 페로브스카이트 구조의 물질 또는 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지
|
11 |
11
제1 기재 상에 N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극을 형성하는 단계;상기 N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 상에 형성되는 광활성층을 형성하는 단계;제2 기재 상에 P형 도펀트가 도핑된 제2 그래핀 전극을 형성하는 단계;상기 P형 도펀트가 도핑된 제2 그래핀 전극 상에 적어도 1층 이상의 제1 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 및 상기 제1 정공 수송층이 맞닿도록 접착하여 샌드위치 구조의 반투명 및 유연 태양전지를 제조하는 단계를 포함하며,상기 N형 도펀트는 TETA(triethylenetetramine)이고, 상기 P형 도펀트는 TFSA(bis(trifluoromethanesulfonyl)-amide)이며,상기 제1 그래핀 전극을 형성하기 전의 상기 제1 기재 상 또는 상기 제2 그래핀 전극을 형성하기 전의 상기 제2 기재 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 반사층은 은(Ag) 반사층이며,제1 기재 상에 N형 도펀트가 도핑된 제1 그래핀 전극을 형성하는 단계는,촉매 금속 기판 상에 단일층 그래핀(single-layer graphene) 박막을 합성하는 단계;상기 합성된 단일층 그래핀 박막을 상기 제1 기재 상에 전사하는 단계; 및상기 전사된 단일층 그래핀 박막 상에 0
|
12 |
12
삭제
|
13 |
13
삭제
|
14 |
14
제11항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는,상기 광활성층 상에 적어도 1층 이상의 제2 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 및 유연 태양전지의 제조 방법
|
15 |
15
삭제
|
16 |
16
삭제
|