| 1 |
1
양의 축전 용량을 갖는 제1 유전체를 포함하고, 인가되는 전압에 의하여 도전 경로를 형성하는 스위칭부; 및상기 스위칭부를 외부와 전기적으로 접속하는 복수 개의 비아 구조체 및 상기 비아 구조체들 중 적어도 하나와 접하고 상기 제1 유전체와 직렬로 연결되는 제2 유전체를 포함하는 연결부를 포함하고,상기 제2 유전체는 음의 축전 용량을 갖는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제2 유전체는 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 또는 지르코늄(Zr)이 도핑된 하프늄 옥사이드(HfO2), 도핑되지 않은(Undoped) 하프늄 옥사이드(HfO2), BST((Ba,Sr)TiO3), PZT(Pb(Zr,Ti)O3), 니오브산 리튬(Lithium-niobate) 및 마그네타이트(YmnO3,ErMnO3) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 스위칭부는 정전기력에 의해 수평으로 절곡되는 도전성 빔; 및상기 제1 유전체를 사이에 두고 상기 도전성 빔과 수평으로 이격되어 배치되는 복수 개의 고정 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 복수 개의 비아 구조체들은 상기 도전성 빔 및 상기 복수 개의 고정 전극들을 외부와 전기적으로 접속하고,상기 제2 유전체는 상기 비아 구조체들 중 선택되는 하나 이상에 접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 6 |
6
제2항에 있어서,상기 스위칭부는 채널 영역;상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 전극;상기 채널 영역과 상기 게이트 전극 사이에 개재되고 상기 제1 유전체를 포함하는 게이트 절연막; 및상기 채널 영역의 양단부에 각각 전기적으로 접속하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 복수 개의 비아 구조체들은 상기 게이트 전극, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 외부와 전기적으로 접속하고,상기 제2 유전체는 상기 게이트 전극과 상기 게이트 전극을 외부와 전기적으로 접속하는 비아 구조체 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 동일한 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 서로 반대되는 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭 소자
|
| 10 |
10
기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 절연층을 관통하는 비아 홀들 및 상기 비아 홀들과 연결되는 오목부를 형성하는 단계;상기 비아 홀 및 상기 오목부가 형성된 상기 절연층 상에 음의 축전용량을 갖는 NC(Negative capacitance) 박막을 형성하는 단계;상기 비아 홀들 중에서 선택되는 하나 이상의 비아 홀을 포함하는 제1 영역을 제외한 나머지 영역의 NC 박막을 제거하는 단계;상기 절연층 및 상기 NC 박막 상에 도전층을 형성하는 단계; 및상기 도전층의 상부를 식각하여 상기 절연층의 상부를 노출하는 단계를 포함하는 저전압 구동 스위칭소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 NC 박막은 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 또는 지르코늄(Zr)이 도핑된 하프늄 옥사이드(HfO2), 도핑되지 않은(Undoped) 하프늄 옥사이드(HfO2), BST((Ba,Sr)TiO3), PZT(Pb(Zr,Ti)O3), 니오브산 리튬(Lithium-niobate) 및 마그네타이트(YmnO3,ErMnO3) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 오목부들은 수평으로 절곡되는 도전성 빔 및 상기 도전성 빔과 수평으로 이격되어 형성되는 고정 전극들의 역상이고,상기 절연층의 상부를 노출하는 단계 이후에 상기 절연층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 기판은 채널 영역, 소스 영역, 상기 소스 영역과 동일한 도전형을 갖는 드레인 영역, 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 상기 채널 영역 사이에 개재되는 절연 박막을 포함하는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 소자를 포함하고,상기 제1 영역은 상기 게이트 전극에 접촉하는 비아 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자의 제조 방법
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 기판은 채널 영역, 소스 영역, 상기 소스 영역과 반대되는 도전형을 갖는 드레인 영역, 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 상기 채널 영역 사이에 개재되는 절연 박막을 포함하는 터널링(Tunneling) FET 소자를 포함하고,상기 제1 영역은 상기 게이트 전극에 접촉하는 비아 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동 스위칭소자의 제조 방법
|
