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반도체 나노입자를 포함하는 광촉매층; 및상기 광촉매층의 하부에 위치하고, 고분자 기재 및 3중항-3중항 소멸 유기 화합물을 포함하는 업컨버젼층을 포함하는 광촉매
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 BiVO4, CdS, 또는 TaON인 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 3중항-3중항 소멸 유기 화합물은 수용체 및 증감제의 염료 쌍을 포함하는 광촉매
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제3항에 있어서, 상기 수용체는 9,10-비스(페닐에티닐)안트라센(9,10-bis(phenylethynyl)anthracene), 페릴렌(perylene), 또는 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene) 인 광촉매
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제3항에 있어서, 상기 증감제는 팔라듐-테트라페닐테트라벤조포르피린 (palladiumtetraphenyltetrabenzoporphyrin),팔라듐(II) 옥타에틸포르피린(palladium(II) octaethylporphyrin), 또는 플래티넘(II) 옥타에틸포르피린(platinum(II) octaethylporphyrin) 인 광촉매
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제 1항에 있어서,상기 고분자 기재는 폴리우레탄
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제1항에 있어서,상기 업컨버젼층은 TiO2 나노입자를 더 포함하는 광촉매
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제1항에 있어서,상기 업컨버젼층은 1 내지 4 mm의 두께를 갖는 광촉매
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제1항에 있어서,상기 광촉매층은 300 내지 450 nm의 두께를 갖는 광촉매
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 상기 광촉매층에 3mg 내지 8 mg의 양으로 분산되어 있는 광촉매
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제3항에 있어서,상기 3중항-3중항 소멸 유기 화합물은 상기 수용체를 2
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제3항에 있어서,상기 3중항-3중항 소멸 유기 화합물은 상기 증감제를 0
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제3항에 있어서,상기 3중항-3중항 소멸 유기 화합물은 상기 수용체 및 상기 증감제를 80:1 내지 120:1의 몰 비로 포함하는 광촉매
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제 1항에 있어서,상기 광촉매층은 상기 반도체 나노입자에 도핑된 Mo를 더 포함하는 광촉매
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반도체 나노입자 전구체를 포함하는 용액을 준비하는 단계;프리폴리머 및 3중항-3중항 소멸 유기 화합물을 포함하는 혼합물을 준비하는 단계;기재상에 반도체 나노입자 전구체를 포함하는 용액을 도포한 다음 가열하여 광촉매층을 형성하는 단계;상기 프리폴리머 및 3중항-3중항 소멸 유기 화합물을 포함하는 혼합물을 경화시켜 3중항-3중항 소멸 유기 화합물을 포함하는 고분자 필름을 형성하는 단계; 및상기 광촉매층상에 상기 3중항-3중항 소멸 유기 화합물을 포함하는 고분자 필름을 적층하여 업컨버젼층을 형성하는 단계를 포함하는 제 1항 내지 제 14항중 어느 한 항에 따른 광촉매 제조방법
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제15항에 있어서,상기 반도체 나노입자 전구체는 반도체 금속의 질산염 또는 아세틸아세톤염을 포함하는 광촉매 제조방법
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제16항에 있어서,상기 반도체 나노입자 전구체는 Bi, V 및 Mo 금속의 질산염 또는 아세틸아세톤염을 포함하는 광촉매 제조방법
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제15항에 있어서,상기 프리폴리머는 폴리우레탄, 폴리메틸 메타크릴레이트 또는 폴리스타이렌 중에서 선택된 1종 이상의 프리폴리머인 광촉매 제조방법
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제15항에 있어서,상기 프리폴리머 및 3중항-3중항 소멸 유기 화합물을 포함하는 혼합물을 준비하는 단계는 TiO2 나노입자를 분산시키는 단계를 추가로 포함하는 광촉매 제조방법
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제 1항 내지 제 14항중 어느 한 항에 따른 광촉매를 포함하는 물분해 장치
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