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제1 포트를 통해 공정 챔버 후단의 진공관에 접속되며, 진공관의 내부와 통하는 내부 공간을 가진 접지 전극부;일측이 막힌 관형으로 이루어지며, 내부 공간이 상기 접지 전극부의 내부 공간과 통하도록 상기 접지 전극부에 결합된 유전체;상기 접지 전극부와 거리를 두고 상기 유전체의 외면에 위치하고, 상기 유전체 내부에 강한 플라즈마 영역을 유도하는 고전압 전극; 및제2 포트를 통해 상기 접지 전극부에 결합되고, 상기 강한 플라즈마 영역으로부터 확장되어 상기 접지 전극부의 내부에 형성된 약한 플라즈마 영역과 마주하는 시창구를 포함하며,상기 강한 플라즈마 영역과 상기 약한 플라즈마 영역이 마주하는 제1 방향은 상기 시창구와 상기 약한 플라즈마 영역이 마주하는 제2 방향과 교차하고, 상기 강한 플라즈마 영역과 상기 시창구 사이에 오염물질의 확산을 억제하는 수직 벽이 위치하는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 접지 전극부는 개구가 형성된 상판과, 상판과 마주하는 하판과, 상판과 하판을 연결하는 측벽을 포함하고,상기 유전체는 상측이 막히고 하단이 상기 개구와 통하도록 상기 상판에 결합된 관형으로 이루어지며,상기 유전체의 내경은 상기 하판의 수평 폭보다 작고,상기 고전압 전극은 일정한 수직 폭을 가진 관형 전극이며, 상기 하판의 면적보다 작은 면적을 가지는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제2항에 있어서,상기 유전체의 하단은 상기 상판의 개구에 기밀 상태로 끼워지고,상기 수직 벽은, 상기 유전체의 내벽 중 상기 고전압 전극의 아래에 해당하는 부분인 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제2항에 있어서,상기 유전체는 하단에 연결된 플랜지를 포함하고,상기 플랜지는 상기 개구를 둘러싸며 상기 상판의 윗면에 고정되며,상기 수직 벽은, 상기 유전체의 내벽 중 상기 고전압 전극의 아래에 해당하는 부분과, 상기 상판에서 상기 개구를 형성하는 벽부로 이루어지는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 포트는 상기 측벽에 연결된 단일 포트로 구성되는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접지 전극부에서 상기 약한 플라즈마 영역을 중심으로 상기 진공관에 가까운 측에 유입구가 위치하고, 상기 진공관으로부터 먼 측에 배출구가 위치하며,상기 제1 포트는 상기 진공관과 상기 유입구를 연결하는 유입 포트와, 상기 배출구와 상기 진공관을 연결하는 배출 포트를 포함하는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제1 포트를 통해 공정 챔버 후단의 진공관에 접속되고, 진공관의 내부와 통하는 내부 공간을 가지며, 개구가 형성된 접지 전극부;상기 개구를 막도록 상기 접지 전극부에 결합된 판형의 유전체;상기 유전체의 외면에 위치하며, 상기 유전체의 내면 주위에 강한 플라즈마 영역을 유도하는 고전압 전극; 및제2 포트를 통해 상기 접지 전극부에 결합되고, 상기 강한 플라즈마 영역으로부터 확장되어 상기 접지 전극부의 내부에 형성된 약한 플라즈마 영역과 마주하는 시창구를 포함하며,상기 강한 플라즈마 영역과 상기 약한 플라즈마 영역이 마주하는 제1 방향은 상기 시창구와 상기 약한 플라즈마 영역이 마주하는 제2 방향과 교차하고, 상기 강한 플라즈마 영역과 상기 시창구 사이에 오염물질의 확산을 억제하는 수직 벽이 위치하는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제7항에 있어서,상기 접지 전극부는 상기 개구가 형성된 상판과, 상판과 마주하는 하판과, 상판과 하판을 연결하는 측벽을 포함하고,상기 유전체의 직경은 상기 하판의 직경보다 작고,상기 고전압 전극의 직경은 상기 유전체의 직경보다 작은 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제8항에 있어서,상기 상판의 개구는 외측 개구와, 외측 개구보다 작은 직경의 내측 개구로 구분되고,상기 유전체는 상기 외측 개구의 가장자리 아래에 형성된 걸림 턱에 의해 지지되는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제9항에 있어서,상기 유전체는 상기 외측 개구에 기밀 상태로 끼워지며,상기 수직 벽은, 상기 상판에서 상기 내측 개구를 형성하는 벽부로 이루어지는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제9항에 있어서,상기 유전체는 판형부와, 판형부의 가장자리 아래에 위치하는 고리 모양의 지지부를 포함하고, 상기 외측 개구에 기밀 상태로 끼워지며,상기 수직 벽은, 상기 지지부의 내벽과, 상기 상판에서 상기 내측 개구를 형성하는 벽부로 이루어지는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제8항에 있어서,상기 유전체는 판형부와, 판형부의 직경보다 작은 외경을 가지며 판형부의 아래에 위치하는 고리 모양의 지지부를 포함하고,상기 지지부는 상기 상판의 개구에 기밀 상태로 끼워지며,상기 수직 벽은 상기 지지부의 내벽으로 이루어지는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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제2항 내지 제4항, 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 포트의 내경은 상기 상판과 상기 하판 사이의 거리보다 작고,상기 측벽 중 상기 제2 포트의 상측 부분이, 상기 시창구를 향하는 오염물질의 확산을 억제하는 보조 수직 벽으로 기능하는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
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