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형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성된 기판; 및상기 기판의 상부에 형성되는 태양전지층;을 포함하되,상기 태양전지층은,상기 나노마이크로 구조체의 상부에 증착되며, 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제1 패턴이 형성되는 애노드 전극;상기 애노드 전극 상부에 증착되며, 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제2 패턴이 형성되는 광흡수층;상기 광흡수층 상부에 증착되며, 상기 홀로그램 패턴과 대응되는 제3 패턴이 형성되는 캐소드 전극;을 포함하며,상기 제1 패턴 내지 제3 패턴은 상기 나노마이크로 구조체의 주기와 동일한 요철면으로 형성되며,상기 제1 패턴 내지 제3 패턴에 형성된 각각의 요철면은 동일한 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지
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기판;상기 기판의 상부에 증착되며, 형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성된 홀로그램 패턴층; 및상기 홀로그램 패턴층의 상부에 형성되는 태양전지층;을 포함하되,상기 태양전지층은,상기 홀로그램 패턴층 상부에 증착되며, 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제1 패턴이 형성되는 애노드 전극;상기 애노드 전극 상부에 증착되며, 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제2 패턴이 형성되는 광흡수층;상기 광흡수층 상부에 증착되며, 상기 홀로그램 패턴과 대응되는 제3 패턴이 형성되는 캐소드 전극;을 포함하며상기 제1 패턴 내지 제3 패턴은 상기 나노마이크로 구조체의 주기와 동일한 요철면으로 형성되며,상기 제1 패턴 내지 제3 패턴에 형성된 각각의 요철면은 동일한 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 나노마이크로 구조체의 주기는 100nm 내지 1000μm로 형성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리, 쿼츠, 사파이어 및 고분자 필름 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지
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제2항에 있어서,상기 홀로그램 패턴층은 질화규소, 폴리실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 화합물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 알루미늄, 구리, 은, 티타늄, 티타늄-텅스텐, 갈륨질소, 갈륨비소, 인듐인, 인듐갈륨질소, 금속산화물, 무기화합물 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지
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형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성된 기판을 준비하는 기판 준비단계; 및상기 나노마이크로 구조체의 상부에 태양전지층을 형성하는 태양전지층 형성단계;를 포함하되,상기 태양전지층 형성단계는,상기 기판의 상부에 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제1 패턴을 가지는 애노드 전극을 형성하는 애노드 전극 형성단계;상기 애노드 전극 상부에 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제2 패턴을 가지는 광흡수층을 형성하는 광흡수층 형성단계;상기 광흡수층 상부에 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제3 패턴을 가지는 캐소드 전극을 형성하는 캐소드 전극 형성단계;를 포함하며,상기 태양전지층 형성단계에서 형성된 상기 제1 패턴 내지 제3 패턴은 상기 나노마이크로 구조체의 주기와 동일한 요철면으로 형성되며,상기 제1 패턴 내지 제3 패턴에 형성된 각각의 요철면은 동일한 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지 형성방법
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제6항에 있어서,상기 기판 준비단계에서 형성된 상기 나노마이크로 구조체의 주기는 100nm 내지 1000μm로 형성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지 형성방법
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기판 준비단계;상기 기판 상부에 형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성된 홀로그램 패턴층을 형성하는 홀로그램 패턴층 형성단계; 및상기 나노마이크로 구조체의 상부에 태양전지층을 형성하는 태양전지층 형성단계;를 포함하되,상기 태양전지층 형성단계는,상기 홀로그램 패턴층 상부에 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제1 패턴을 가지는 애노드 전극을 형성하는 애노드 전극 형성단계;상기 애노드 전극 상부에 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제2 패턴을 가지는 광흡수층을 형성하는 광흡수층 형성단계;상기 광흡수층 상부에 상기 나노마이크로 구조체와 대응되는 제3 패턴을 가지는 캐소드 전극을 형성하는 캐소드 전극 형성단계;를 포함하며,상기 태양전지층 형성단계에서 형성된 상기 제1 패턴 내지 제3 패턴은 상기 나노마이크로 구조체의 주기와 동일한 요철면으로 형성되며,상기 제1 패턴 내지 제3 패턴에 형성된 각각의 요철면은 동일한 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지 형성방법
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제8항에 있어서,상기 홀로그램 패턴층 형성단계에서 형성된 상기 나노마이크로 구조체의 주기는 100nm 내지 1000μm로 형성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지 형성방법
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제8항에 있어서,상기 홀로그램 패턴층은 질화규소, 폴리실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 화합물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 알루미늄, 구리, 은, 티타늄, 티타늄-텅스텐, 갈륨질소, 갈륨비소, 인듐인, 인듐갈륨질소, 금속산화물, 무기화합물 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램 태양전지 형성방법
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