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비스무스 바나데이트(BiVO4) 결정 구조 내에 도핑된 마그네슘(Mg) 및 리튬(Li)을 포함하는,비스무스 바나데이트
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제1항에 있어서,마그네슘은 비스무스 바나데이트 결정 구조 내 바나듐(V) 자리에 치환되어 도핑되고,리튬은 비스무스 바나데이트 결정 구조 내 비스무스(Bi) 자리에 치환되어 도핑된 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트
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제1항에 있어서,마그네슘 및 리튬은 비스무스 바나데이트 전체에 대해 각각 독립적으로 10 mol% 미만 도핑된 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트
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제3항에 있어서,마그네슘 및 리튬은 비스무스 바나데이트 전체에 대해 각각 독립적으로 5 mol% 내지 7
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제3항에 있어서,마그네슘 및 리튬은 2:3 내지 3:2의 비율로 도핑된 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트
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제5항에 있어서,마그네슘 및 리튬은 1:1의 비율로 도핑된 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트
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제1항에 있어서,2
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제1항에 있어서,400 nm 내지 530 nm 파장 범위에서 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트
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9
제1항에 있어서,상기 비스무스 바나데이트는 비도핑 비스무스 바나데이트 대비 낮은 광-유도된 전자-정공 재조합비를 갖는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 비스무스 바나데이트를 포함하는,광촉매
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비스무스 바나데이트 전구체, 마그네슘(Mg) 도핑 재료 및 리튬(Li) 도핑 재료를 포함하는 혼합 용액을 수열합성시키는 단계를 포함하고,상기 수열합성시키는 단계에서, 결정 구조 내 바나듐(V) 자리에 치환되어 도핑된 마그네슘 및 결정 구조 내 비스무스(Bi) 자리에 치환되어 도핑된 리튬을 포함하는 비스무스 바나데이트가 형성되는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 혼합 용액은, 상기 마그네슘 도핑 재료 및 리튬 도핑 재료를 비스무스 바나데이트 전체에 대해 도핑된 마그네슘 및 리튬이 각각 독립적으로 10 mol% 미만이 되도록 포함하는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 마그네슘 도핑 재료 및 리튬 도핑 재료의 몰비는 2:3 내지 3:2인 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 마그네슘 도핑재료 및 리튬 도핑 재료의 몰비는 1:1인 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 비스무스 바나데이트 전구체는 질산비스무스 5수화물(Bi(NO3)3·5H2O) 및 암모늄 메타 바나데이트(NH4VO3)를 포함하고,상기 마그네슘 도핑 재료는 질산마그네슘 6수화물(Mg(NO3)2·6H2O)를 포함하며,상기 리튬 도핑 재료는 질산리튬(LiNO3)을 포함하는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 수열합성시키는 단계에서 형성된 비스무스 바나데이트는 2
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제11항에 있어서,상기 수열합성시키는 단계에서 형성된 비스무스 바나데이트는 400 nm 내지 530 nm 파장 범위에서 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 수열합성시키는 단계에서 형성된 비스무스 바나데이트는 비도핑 비스무스 바나데이트 대비 낮은 광-유도된 전자-정공 재조합비를 갖는 것을 특징으로 하는,비스무스 바나데이트의 제조 방법
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