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다공성 고분자지지체;상기 고분자지지체의 기공을 포함하여 상기 고분자지지체가 외부로 노출된 모든 표면에 형성된 도파민코팅층; 및상기 도파민코팅층을 덮도록 형성되는 이온전달층;을 포함하는 강화복합전해질막
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제 1 항에 있어서,상기 이온전달층은 실리카계열고분자물질 및 이온전도성물질이 1:3 내지 3:1의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막
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제 2 항에 있어서,상기 실리카계열고분자물질은 D-ASFP (Diol Alkoxysilane-functionalized Polymer), BD-ASFP(bisphenol dimethylbenzanthracene ASFP), BDP-ASFP (Polydimethylsiloxane ASFP) 중 어느 하나이고, 이온전도성물질은 나피온, 3M아이오노머, 술폰화된 플루오르계 고분자, 벤즈이미다졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리아미드계 고분자, 폴리아릴렌아테르계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌술파이드계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리포스파젠계 고분자, 폴리스티렌계 고분자, 라디에이션-그라프트된 FEP-g-폴리스티렌(radiation-grafted FEP-g-polystyrene), 라디에이션-그라프트된 PVDF-g-폴리스티렌(radiation-grafted PVDF-g-polystyrene) 및 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 중에서 선택되는 1종 이상의 수소 이온 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 고분자지지체는 폴리페닐렌설파이드(PPS) 또는 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)로 이루어진 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막
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제 4 항에 있어서,상기 다공성 고분자지지체가 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)인 경우, 다공성 막상의 폴리페닐렌설파이드(PPS)를 술폰화시켜 얻어진 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막
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제 1 항에 있어서,투과도가 2
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도파민용액을 준비하는 단계;상기 도파민용액에 다공성 고분자지지체를 침지시켜 상기 다공성 고분자지지체가 외부로 노출된 모든 표면에 도파민코팅층이 형성된 전구체막을 제조하는 단계; 및상기 전구체막의 표면에 이온전달층을 형성하는 단계;를 포함하는 강화복합전해질막제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 도파민용액을 준비하는 단계는 증류수에 도파민클로라이드를 넣고 교반하는 단계; 및 상기 교반된 용액에 Tris(hydroxymethyl)aminomethane을 넣은 후 교반하는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 전구체막을 제조하는 단계는 상기 도파민용액에 침지된 상기 다공성 고분자지지체를 세척하는 단계; 및 세척된 다공성 고분자지지체를 건조하는 단계;를 더 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 이온전달층을 형성하는 단계는 실리카계열고분자물질 및 이온전도성물질이 1:3 내지 3:1의 중량비로 포함된 이온전달층형성용 용액을 준비하는 단계; 상기 전구체막 표면에 상기 이온전달층형성용 용액을 코팅하는 단계; 및 상기 이온전달층을 건조하는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 실리카계열고분자물질은 D-ASFP (Diol Alkoxysilane-functionalized Polymer), BD-ASFP(bisphenol dimethylbenzanthracene ASFP), BDP-ASFP (Polydimethylsiloxane ASFP) 중 어느 하나이고, 이온전도성물질은 나피온, 3M아이오노머, 술폰화된 플루오르계 고분자, 벤즈이미다졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리아미드계 고분자, 폴리아릴렌아테르계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌술파이드계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리포스파젠계 고분자, 폴리스티렌계 고분자, 라디에이션-그라프트된 FEP-g-폴리스티렌(radiation-grafted FEP-g-polystyrene), 라디에이션-그라프트된PVDF-g-폴리스티렌(radiation-grafted PVDF-g-polystyrene) 및 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 중에서 선택되는 1종 이상의 수소 이온 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 다공성 고분자지지체는 폴리페닐렌설파이드(PPS) 또는 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)로 이루어진 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 다공성 고분자지지체가 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)인 경우, 막상의 폴리페닐렌설파이드(PPS)를 술폰화시켜 얻어진 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막 제조방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 강화복합전해질막 또는 제 7 항 내지 제 13 항의 제조방법으로 제조된 강화복합전해질막을 포함하는 연료전지
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 강화복합전해질막 또는 제 7 항 내지 제 13 항의 제조방법으로 제조된 강화복합전해질막을 포함하는 레독스흐름전지
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