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Si, Fe, Al, Cu 및 Ni를 포함하고, 열처리시 결정상이 형성되지 않는 비정질 매트릭스; 및상기 비정질 매트릭스 내에 분산되고 입자 크기가 50 nm 이하인 결정질 Si 입자;를 포함하는 음극 활물질로서, 상기 결정질 Si 입자는 입자 직경의 상대표준편차(relative standard deviation) 값이 20% 이하이고,상기 음극 활물질은 하기 식 1의 조성을 가지는, 리튬이차전지용 음극 활물질:[식 1]SixFeyAlzMa이때, M은 Cu 및 Ni이고, 40≤x≤80, 1≤y≤25, 10≤z≤40, 1≤a≤3, x+y+z+a=100이다
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제1항에 있어서, 상기 매트릭스는 Cr, Cu, Mn, Mo, Ni, Nb, Ti, V, Co, Zr, Mg, Se, Te, Sn, In, Ga, Pb, Bi, Zn, 및 Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 더 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 매트릭스는 Si, Fe, 및 Al 중 어느 하나 이상을 포함하는 하나 또는 둘 이상의 비정질상을 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 매트릭스는 리튬에 대해 전기화학적으로 비활성인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 매트릭스는 상기 결정질 Si 입자보다 높은 전기전도도를 가지는, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 음극 활물질을 포함하는 리튬 이차전지용 음극
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제7항의 음극을 포함하는 리튬 이차전지
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Si과 함께, Fe, Al, Cu 및 Ni을 포함하는 금속 물질을 용융하는 단계;상기 용융된 물질을 급냉하여, 결정상이 석출되지 않은 응고물을 형성하는 단계; 및상기 응고물을 열처리하여, Si, Fe, Al, Cu 및 Ni을 포함하는 매트릭스 중에, 입자 크기가 50 nm 이하인 결정질 Si 입자를 석출시키는 단계;를 포함하여 음극 활물질을 제조하는 것으로서,상기 매트릭스는 상기 열처리 후에도 비정질로 유지되고, 상기 음극 활물질은 하기 식 1의 조성을 가지는, 리튬 이차전지용 음극 활물질 제조 방법:[식 1]SixFeyAlzMa이때, M은 Cu 및 Ni이고, 40≤x≤80, 1≤y≤25, 10≤z≤40, 1≤a≤3, x+y+z+a=100이다
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제9항에 있어서, 상기 금속 물질은 Cr, Cu, Mn, Mo, Ni, Nb, Ti, V, Co, Zr, Mg, Se, Te, Sn, In, Ga, Pb, Bi, Zn, 및 Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 더 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 매트릭스는 Si, Fe, 및 Al 중 어느 하나 이상을 포함하는 하나 또는 둘 이상의 비정질상을 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 매트릭스는 리튬에 대해 전기화학적으로 비활성인, 리튬 이차전지용 음극 활물질 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 매트릭스는 상기 결정질 Si 입자보다 높은 전기전도도를 가지는, 리튬 이차전지용 음극 활물질 제조 방법
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