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기판; 상기 기판의 소정 영역 상에 배치된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치된 게이트 절연체; 상기 게이트 절연체 상에 배치된, 하기 화학식 1-A로 표시되는 유기 반도체 화합물로 이루어진(consist of) 유기 반도체 박막; 및상기 유기 반도체 박막 상에 각각 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함한, 유기 박막 트랜지스터:003c#화학식 1-A003e#상기 화학식 1-A 중, X1 및 X2는 S 이고,서로 인접한 X1과 F 사이 및 서로 인접한 X2와 F 사이의 상호작용(intramolecular interaction)이 존재하고, 상기 서로 인접한 X1과 F 사이 및 서로 인접한 X2와 F 사이의 상호작용이 없는 경우에 비하여 상기 유기 반도체 화합물의 평면성이 증가되고,R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소(-D), 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C1-C60알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -OC(=O)(Q1), -C(=O)N(Q1)(Q2), -S(=O)2(Q1) 및 -P(=O)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,a는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,n은 5 내지 1,000의 정수 중에서 선택되고,b1 내지 b3는 0 이상의 정수이되, b1 내지 b3의 합은 1 내지 5이고, Y1 내지 Y4는 각각 S 이고,Z1 내지 Z5는 서로 독립적으로, 수소, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기, C6-C30아릴기, C1-C30헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,상기 Q1 내지 Q3 은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C1-C60알킬티오기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다
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제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 각각 수소인, 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,a는 1이고,b1, b2 및 b3는 각각 1인, 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 화학식 1-A로 표시되는 유기 반도체 화합물은 하기 화합물 1인 유기 박막 트랜지스터:003c#화합물 1003e#상기 화합물 1 중, n은 5 내지 1,000의 정수 중에서 선택된다
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하기 화학식 1-A로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제공하는 단계; 상기 유기 반도체 화합물을 비할로겐성 용매 중에 용해시켜 유기 반도체 화합물 용액을 제조하는 단계; 상기 유기 반도체 화합물 용액을 기재 상에 증착 또는 코팅하여 유기 반도체 박막을 제조하는 단계; 및 선택적으로 상기 기재를 제거하는 단계;를 포함한 유기 반도체 박막의 제조 방법에 있어서,상기 비할로겐성 용매는 1,2,4-트리메틸벤젠이고,상기 유기 반도체 박막은 상기 유기 반도체 화합물로 이루어진, 유기 반도체 박막의 제조 방법:003c#화학식 1-A003e#상기 화학식 1-A 중, X1 및 X2는 S 이고,서로 인접한 X1과 F 사이 및 서로 인접한 X2와 F 사이의 상호작용(intramolecular interaction)이 존재하고, 상기 서로 인접한 X1과 F 사이 및 서로 인접한 X2와 F 사이의 상호작용이 없는 경우에 비하여 상기 유기 반도체 화합물의 평면성이 증가되고,R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소(-D), 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C1-C60알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -OC(=O)(Q1), -C(=O)N(Q1)(Q2), -S(=O)2(Q1) 및 -P(=O)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,a는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고,n은 5 내지 100,000의 정수 중에서 선택되고,b1 내지 b3는 0 이상의 정수이되, b1 내지 b3의 합은 1 내지 30이고, Y1 내지 Y4는 각각 S 이고,Z1 내지 Z5는 서로 독립적으로, 수소, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기, C6-C30아릴기, C1-C30헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,상기 Q1 내지 Q3 은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C1-C60알킬티오기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다
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삭제
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제6항에 있어서,상기 R1 및 R2는 각각 수소인, 유기 반도체 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,a는 1이고,b1, b2 및 b3는 각각 1인, 유기 반도체 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 화학식 1-A 는 하기 화합물 1인 유기 반도체 박막의 제조 방법:003c#화합물 1003e#상기 화합물 1 중, n은 5 내지 1,000의 정수 중에서 선택된다
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