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하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 포함하는 음이온 교환막:[화학식 1]상기 화학식 1에서,상기 R1은 -R4-N+(R5)3이고,상기 R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,상기 R3는 수소 또는 탄소수 1 내지 19의 알킬기이고,상기 R4는 직접결합 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며,상기 R5는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,상기 l= 1
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제1항에 있어서,상기 고분자는 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막:[화학식 1a]상기 화학식 1a에서,상기 R1은 -R4-N+(R5)3이고,상기 R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,상기 R3는 수소 또는 탄소수 1 내지 19의 알킬기이고,상기 R4는 직접결합 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며,상기 R5는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,상기 l= 1
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3
제1항에 있어서,상기 R1은 -(CH)x-N+(CH3)3이고,상기 R2는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이며,상기 R3는 수소 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬기이고,상기 x= 3 내지 6의 정수인 것을 특징으로 하는 음이온 교환막
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4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 음이온 교환막을 포함하는 연료전지
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5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 음이온 교환막을 포함하는 전기화학장치
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 음이온 교환막을 포함하는 운송수단
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7
(A) 하기 화학식 2로 표시되는 고분자를 아실화하는 단계;(B) 상기 아실화된 고분자를 환원시키는 단계;(C) 상기 환원된 고분자 용액을 고분자막으로 제조하는 단계; 및(D) 상기 고분자막에 4차 암모늄을 도입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막의 제조방법:[화학식 2]상기 화학식 2에서,상기 R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,상기 l= 1
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8
제7항에 있어서,상기 (A) 단계는 상기 화학식 2로 표시되는 고분자 용액에 아실클로라이드 및 촉매를 첨가하고 20 내지 30 ℃의 온도에서 1 내지 10 시간 동안 반응시키는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막의 제조방법
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9
제7항에 있어서,상기 (B) 단계는 (B1) 상기 아실화된 고분자, 트리플루오로아세트산 및 트리에틸실란을 혼합하고 50 내지 70 ℃의 온도에서 30 내지 60 시간 동안 환류시킨 후 실온으로 냉각시키는 단계; 및(B2) 상기 냉각된 반응물을 탄산수소나트륨 및 수산화나트륨으로 담금질한 후 추출하여 침전된 침전물을 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (D) 단계는 상기 고분자 막을 30 내지 50 ℃의 온도에서 30 내지 60 시간 동안 4차 암모늄 전구체 용액에 담가 4차 암모늄을 도입하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막의 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 4차 암모늄 전구체는 트리메틸아민, 알킬 이미다졸리움, 알킬 모폴로니움, 알킬 피페라디니움, 알킬 구아니디움, 알킬 포스포니움 및 알킬 설포니움 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 음이온 교환막의 제조방법
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