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다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020001839
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 웨이퍼 센서는 저항식 온도 센서로서 기준온도를 측정하는 복수 개의 기준저항과, 열전식 온도 센서로서 기준저항의 일단으로부터 직렬로 하나 이상 연결되는 열전부를 포함하여 이루어지며, 열전부와 연결배선은 서로 다른 층에 배치된다. 특히, 열전부는 열전쌍(thermocouple)을 형성하는 2 종류의 도선이 서로 교대로 반복하여 100회~1,000회 정도 반복 형성되는 형태로 구성된다. 각 열전부가 연결배선이 형성되는 층과 다른 층에 형성되기 때문에 각 열전부를 배선의 방해를 받지 않고 웨이퍼 센서의 전 면적에 고르게 설치할 수 있다. 특히, 복수 개의 기준저항을 이용하여 기준온도와 열전부의 제백계수에 대한 교정이 이루어짐에 따라 측정되는 온도의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 각 열전부를 통해 측정되는 기전력이 물리적으로 증폭되기 때문에 측정이 더욱 편리해진다. 이에 따라, 웨이퍼의 전 면적에 대한 온도 균일도를 더욱 편리하고 정확하게 파악할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 35/30 (2006.01.01) H01L 35/32 (2006.01.01) H01L 35/04 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01) H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC H01L 35/30(2013.01) H01L 35/30(2013.01) H01L 35/30(2013.01) H01L 35/30(2013.01) H01L 35/30(2013.01) H01L 35/30(2013.01) H01L 35/30(2013.01)
출원번호/일자 1020180098176 (2018.08.22)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-2119757-0000 (2020.06.01)
공개번호/일자 10-2020-0022263 (2020.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20200608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.22)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 제갈원 대전광역시 유성구
2 강상우 대전광역시 서구
3 김용규 대전광역시 서구
4 권수용 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길* (역삼동, 조이타워), ***호(대신특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0833490-88
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-1089153-33
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0915213-30
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0026348-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0026347-19
9 등록결정서
Decision to grant
2020.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0360827-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼 상에 형성된 복수 개의 기준저항;각 기준저항의 사이에 형성되는 열전부와, 상기 기준저항의 일단으로부터 직렬로 하나 이상 연결되는 열전부;각 측정접점(기준저항과 열전부의 양단)과 측정단자 사이를 전기적으로 연결하는 연결배선들로 이루어지는 배선부; 및상기 열전부가 형성된 층과 상기 배선부가 형성된 층의 사이에 배치되는 층간절연층을 포함하고,상기 기준저항과 열전부는 동일한 층에 형성되며,상기 각 측정접점과 그에 대응하는 연결배선은 상기 층간절연층을 관통하여 형성되는 비아 홀을 통해 서로 연결되고,상기 열전부는 열전쌍(thermocouple)을 형성하는 2 종류의 도선이 서로 교대로 복수회 반복하여 직렬 연결되는 형태로 구성되며,상기 각 도선은 두 영역 사이에서 지그재그 형태로 형성되고, 상기 각 영역의 크기는 100μm 이하이며, 상기 두 영역 사이의 거리는 1cm 이상인 것을 특징으로 하는, 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기준저항은 상기 웨이퍼의 중심에서 에지를 향하여 직선 방향으로 3개가 단속적으로 형성되고, 인접한 두 기준저항의 사이에 상기 열전부가 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 2 종류의 도선은 금으로 이루어진 도선과 백금으로 이루어진 도선인 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 2 종류의 도선이 교대로 반복하여 나타나는 횟수는 100회 이상 1,000회 이하인 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 비아 홀은 금 또는 백금으로 채워지는 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
8 8
제 1 항에 있어서,상기 연결배선은 금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기준저항의 양단과 상기 측정단자 사이에 연결되는 기준저항 측정배선을 더 포함하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기준저항과 열전부가 형성된 층은 상기 배선부가 형성된 층보다 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서
11 11
제1항에 기재된 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서를 제조하는 방법으로서,웨이퍼 상에 각 측정접점과 측정단자를 연결할 연결배선을 형성하는 단계;상기 연결배선 위에 층간절연층을 형성하는 단계;상기 각 연결배선의 일단이 노출되도록 상기 층간절연층에 비아 홀을 형성하는 단계;상기 각 비아 홀에 도전플러그를 형성하는 단계; 및상기 도전플러그에 상기 각 측정접점이 전기적으로 접속되도록 각 기준저항과 열전부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 기준저항은 상기 웨이퍼의 중심에서 에지를 향하여 직선 방향으로 3개가 단속적으로 형성되며, 인접한 두 기준저항의 사이에는 상기 열전부가 형성되고,상기 열전부는 열전쌍(thermocouple)을 형성하는 2 종류의 도선이 서로 교대로 복수회 반복하여 직렬 연결되며,상기 각 도선은 두 영역 사이에서 지그재그 형태로 형성되고, 상기 각 영역의 크기는 100μm 이하이며, 상기 두 영역 사이의 거리는 1cm 이상인 것을 특징으로 하는, 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서,상기 2 종류의 도선이 교대로 반복하여 나타나는 횟수는 100회 이상 1,000회 이하인 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 제조 방법
14 14
삭제
15 15
제 11 항에 있어서,상기 연결배선은 금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020040381 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)에스엔텍 소재부품기술개발사업 실시간 반도체 공정 상태 진단을 위한 웨이퍼형 공정진단 센서 시스템 개발