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박막인 제1층 및 상기 제1층의 밑면에 접한 기판을 포함하는 시편을 준비하는 단계;깊이에 따른 조성 깊이 분포도 분석을 통해 상기 제1층의 윗면으로부터 기판에 이르는 2개 이상의 크레이터를 형성하되, 각각의 크레이터에 대해, 제1층 윗면으로부터 크레이터 바닥까지의 깊이(Dtotal)를 조성 깊이 분포도 분석 이외의 방법으로 측정하는 단계;상기 형성된 각각의 크레이터에 대해, 제1층 밑면으로부터 크레이터 바닥까지의 깊이(Dsubst)를 상기 조성 깊이 분포도에서 결정하는 단계; 상기 크레이터들 각각의 Dtotal 및 Dsubst로부터, Dsubst가 0이 되는 경우의 Dtotal을 제1층의 두께로 결정하는 단계; 및상기 제1층의 두께는 Dsubst가 0이 되는 경우의 Dtotal에 보정값을 합산하여 결정하는 단계;를 포함하는 박막 두께 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 보정값은 크레이터 바닥 형상(topography)에 기인한 오차가 보상된 것인, 박막 두께 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 깊이에 따른 조성 깊이 분포도는 이차이온질량분석(SIMS)를 통해 얻어지는, 박막 두께 측정 방법
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박막인 제1층 및 상기 제1층의 밑면에 접한 기판을 포함하는 시편을 준비하는 단계;깊이에 따른 조성 깊이 분포도 분석을 통해 상기 제1층의 윗면으로부터 기판에 이르는 2개 이상의 크레이터를 형성하되, 각각의 크레이터에 대해, 제1층 윗면으로부터 크레이터 바닥까지의 깊이(Dtotal)를 조성 깊이 분포도 분석 이외의 방법으로 측정하는 단계;상기 형성된 각각의 크레이터에 대해, 제1층 밑면으로부터 크레이터 바닥까지의 깊이(Dsubst)를 상기 조성 깊이 분포도에서 결정하는 단계; 및상기 크레이터들 각각의 Dtotal 및 Dsubst로부터, Dsubst가 0이 되는 경우의 Dtotal을 제1층의 두께로 결정하는 단계;를 포함하고, 상기 깊이에 따른 조성 깊이 분포도는 세슘(Cs) 클러스터 이온을 이용한 이차이온질량분석(SIMS)를 통해 얻어지는, 박막 두께 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 조성 깊이 분포도 분석 이외의 깊이 측정 방법은 스타일러스 프로파일미터 및/또는 광학 간섭계에 의한 것인, 박막 두께 측정 방법
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박막인 제1층 및 상기 제1층의 밑면에 접한 기판을 포함하는 시편을 준비하는 단계;깊이에 따른 조성 깊이 분포도 분석을 통해 상기 제1층의 윗면으로부터 기판에 이르는 2개 이상의 크레이터를 형성하되, 각각의 크레이터에 대해, 제1층 윗면으로부터 크레이터 바닥까지의 깊이(Dtotal)를 조성 깊이 분포도 분석 이외의 방법으로 측정하는 단계;상기 형성된 각각의 크레이터에 대해, 제1층 밑면으로부터 크레이터 바닥까지의 깊이(Dsubst)를 상기 조성 깊이 분포도에서 결정하는 단계; 및상기 크레이터들 각각의 Dtotal 및 Dsubst로부터, Dsubst가 0이 되는 경우의 Dtotal을 제1층의 두께로 결정하는 단계;를 포함하고, 상기 Dsubst가 0이 되는 경우의 Dtotal는 선형회귀분석을 통해 결정되는, 박막 두께 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1층 및 기판은 각각 금속을 포함하는 홑원소 물질, 합금, 및 화합물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는, 박막 두께 측정 방법
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