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니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군에서 선택된 4종 이상의 기지상 원소를 포함하는 기지상; 및 상기 기지상 원소 중에서 선택된 1종 이상 및 실리콘(Si)을 포함하는 금속간화합물이 형성된 석출상; 을 포함하고,상기 금속간화합물은, M5Si3, M3Si 또는 이 둘을 포함하고, 상기 M은 상기 기지상 원소에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 기지상 원소 중 니오븀(Nb) 대 다른 원소의 비율(원자비%)은, 1:1 내지 1
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제1항에 있어서,상기 기지상 원소는, 각각, 고 엔트로피 합금 복합재에 대해 0 원자비% 초과 내지 35 원자비%로 포함되는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재
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제1항에 있어서,상기 기지상은, 단일상인 것인, 고 엔트로피 합금 복합재
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제1항에 있어서,상기 실리콘은, 고 엔트로피 합금 복합재에 대해 12 원자비% 내지 20 원자비%로 포함하는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재
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제1항에 있어서,상기 석출상은, 상기 고 엔트로피 합금에 대해 0 부피% 초과 내지 60 부피%로 포함하는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재
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제1항에 있어서,상기 석출상은, 1 nm 이상의 크기를 갖는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재
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고 엔트로피 합금 복합재의 제조방법에 있어서, 기지상 원소; 및 실리콘;을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; 및 상기 혼합물을 합금화하는 단계; 를 포함하고, 상기 고 엔트로피 합금 복합재는,니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군에서 선택된 4종 이상의 기지상 원소를 포함하는 기지상; 및 상기 기지상 원소 중에서 선택된 1종 이상 및 실리콘(Si)을 포함하는 금속간화합물이 형성된 석출상; 을 포함하고,상기 금속간화합물은, M5Si3, M3Si 또는 이 둘을 포함하고, 상기 M은 상기 기지상 원소에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 기지상 원소 중 니오븀(Nb) 대 다른 원소의 비율(원자비%)은, 1:1 내지 1
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제9항에 있어서,상기 합금화하는 단계는, 상기 혼합물을 기계적 합금화하거나 또는 용해법으로 합금화하는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 합금을 열처리하는 단계;를 더 포함하고, 상기 열처리하는 단계는, 1000 ℃ 내지 1500 ℃ 온도에서 상기 합금을 열처리하는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 진공 분위기; 또는 비활성 가스 및 수소 중 1종 이상을 포함하는 가스 분위기;에서 열처리하는 것인, 고 엔트로피 합금 복합재의 제조방법
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