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기판;상기 기판 상에 인쇄된 전극;상기 전극의 적어도 일부를 덮도록 형성된 젖산 효소층;상기 젖산 효소층 상에 형성된 다공성 불소계 이온 고분자 화합물층; 및상기 불소계 이온 고분자 화합물층을 덮도록 형성된 셀룰로오스 보호층을 포함하며,상기 전극은 10 내지 100 층으로 인쇄된 전극인 젖산 감응 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 연성 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board)인 젖산 감응 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 전극은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube)를 중량비로 1: 0
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제 1 항에 있어서, 상기 전극은, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube)가 중량비로 1: 0
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제 1 항에 있어서,상기 젖산 효소층의 젖산 효소는 결정체로 존재하는 젖산 감응 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 불소계 이온 고분자화합물의 기공은 평균 직경 500 내지 1000 nm인 젖산 감응 트랜지스터
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 트랜지스터를 포함하는 젖산 감응 센서
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 10 내지 100회 반복적으로 인쇄하여 전극을 형성하는 단계;상기 전극의 적어도 일부를 덮도록 젖산 효소층을 형성하는 단계;상기 젖산 효소층 상에 다공성 불소계 이온 고분자 화합물층을 형성하는 단계; 및상기 불소계 이온 고분자 화합물층을 덮도록 셀룰로오스 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 젖산 감응 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전극은, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube)가 중량비로 1: 0
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제 8 항에 있어서,상기 젖산 효소층의 젖산 효소는 결정체로 존재하는 젖산 감응 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 다공성 불소계 이온 고분자화합물의 기공은 평균 직경 500 내지 1000 nm인 젖산 감응 트랜지스터의 제조방법
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