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반도체 재료의 도핑농도 측정방법 및 이를 이용한 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록매체

  • 기술번호 : KST2020002086
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 재료의 도핑농도측정 방법에 있어서, 반도체 재료를 활성층으로 하여 제조된 트랜지스터 구조물에서 게이트전극에 인가되는 게이트 전압에 따른 드레인전류를 측정하고, 측정된 상기 드레인전류를 게이트 전압으로 2번 미분하여 2개의 피크를 구하여, 2개의 피크 사이의 거리를 이용하여 상기 반도체 재료의 도핑농도를 도출하는 단계를 포함하는 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01) G01N 27/00 (2006.01.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020180103697 (2018.08.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0025797 (2020.03.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전대영 전라북도 완주군
2 이승기 전라북도 완주군
3 김남동 전라북도 완주군
4 이동수 전라북도 완주군
5 김태욱 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0868098-02
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0908672-19
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1320057-02
4 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0151880-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 재료의 도핑농도측정 방법에 있어서,반도체 재료를 활성층으로 하여 소오스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 포함하는 트랜지스터 구조물에서 상기 게이트전극에 인가되는 게이트 전압에 따른 드레인전류를 측정한 데이터를 전달받는 단계; 측정된 상기 드레인전류를 게이트 전압으로 2번 미분하여 2개의 피크를 구하는 단계; 및상기 2개의 피크 사이의 거리를 이용하여 상기 반도체 재료의 도핑농도를 도출하는 단계를 포함하는 반도체 재료의 도핑농도측정 방법
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제1 항에 있어서,상기 반도체 재료는 1017/cm3 이상의 불순물 농도를 가지는 반도체 재료의 도핑농도측정 방법
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제1 항에 있어서,상기 2개의 피크 사이의 거리가 증가함에 따라서, 상기 반도체 재료의 도핑농도가 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 도핑농도측정 방법
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제1 항에 있어서,상기 도핑농도(Nd)는 식(1)을 통해서 도출하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 도핑농도측정 방법
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 따른 반도체 재료의 도핑농도측정 방법을 수행하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.