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전력선 상에 서지가 발생하는 경우 제어 신호가 생성되도록 하여 서지 감지 기능을 수행하는 서지 감지부, 그리고 상기 제어 신호에 따라, 스위치 소자의 스위칭 상태가 제어되어 스위칭 역할을 수행하는 스위칭부를 포함하고,상기 스위치 소자는,절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; IGBT), 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT), 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOS field-effect transistor; MOSFET) 및 사이리스터(Thyristor) 중 적어도 어느 하나이고,상기 서지 감지부는, 일단이 상기 전력선에 연결된 커패시터, 일단이 상기 커패시터의 타단에 연결되는 제1 저항, 일단이 상기 제1 저항의 타단에 연결되고, 타단이 접지선에 연결되는 제2 저항, 그리고 캐소드 단자가 상기 제1 저항의 타단 및 상기 제2 저항의 일단에 연결되고, 애노드 단자가 상기 접지선에 연결되는 제너 다이오드를 포함하는 서지 보호 장치
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전력선 상에 서지가 발생하는 경우 제어 신호가 생성되도록 하여 서지 감지 기능을 수행하는 서지 감지부, 그리고 상기 제어 신호에 따라, 스위치 소자의 스위칭 상태가 제어되어 스위칭 역할을 수행하는 스위칭부를 포함하고,상기 스위치 소자는,절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; IGBT), 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT), 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOS field-effect transistor; MOSFET) 및 사이리스터(Thyristor) 중 적어도 어느 하나이고,상기 서지 감지부는, 커패시터, 저항 및 제너 다이오드(Zener diode)를 포함하고,상기 스위칭부는, 애노드 단자가 상기 전력선에 연결된 제1 다이오드, 게이트 단자가 상기 서지 감지부의 상기 제너 다이오드의 캐소드 단자와 연결되고, 드레인 단자가 접지선에 연결되며, 콜렉터 단자가 상기 제1 다이오드의 캐소드 단자에 연결된 상기 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터(IGBT), 그리고 캐소드 단자가 상기 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터(IGBT)의 상기 콜렉터 단자와 연결되고, 애노드 단자가 상기 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터(IGBT)의 에미터 단자와 연결된 제2 다이오드를 포함하는 서지 보호 장치
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제6항에 있어서, 상기 스위칭부는, 잔류 전류가 인가되는 부하 저항과 상기 스위칭부 사이에 구비된 저역통과필터와 연결되는 서지 보호 장치
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제7항에 있어서, 상기 저역통과필터는, 하나 이상의 인덕터 및 하나 이상의 커패시터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 서지 보호 장치
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제7항에 있어서, 상기 서지 감지부는, 배리스터 및 인덕터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 과전압 보호 소자와 연결되는 서지 보호 장치
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제9항에 있어서, 상기 배리스터는, 금속산화물 배리스터(metal oxide varistor, MOV)인 것을 특징으로 하는 서지 보호 장치
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