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앙금 생성 반응을 이용한 생체 친화형 친환경 역전기투석 장치

  • 기술번호 : KST2020002102
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 출원은 앙금 생성 반응을 이용한 생체 친화형 친환경 역전기투석 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 모든 저염수 챔버가 아닌 일부의 저염수 챔버에만 앙금이 생성되도록 제어한 생체 친화형 친환경 역전기투석 장치에 관한 것이다.
Int. CL H01M 8/22 (2016.01.01) H01M 8/2455 (2016.01.01) A61N 1/30 (2006.01.01) A61M 37/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180165306 (2018.12.19)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0024695 (2020.03.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180101035   |   2018.08.28
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택동 경기도 과천시 별양로 **
2 윤정세 서울특별시 관악구
3 연송이 경상남도 거제시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1279417-48
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
교대로 배치된 복수의 양이온 교환막 및 복수의 음이온 교환막;상기 양이온 교환막과 음이온 교환막 사이에 교대로 배치된 고체염 챔버 및 무염 챔버; 및상기 고체염 챔버 중 제 1 고체염 챔버와 상기 제 1 고체염 챔버와 이웃한 제 2 고체염 챔버에 각각 배치된 제 1 고체염 및 제 2 고체염을 포함하며, 상기 제 1 고체염은 화학식 AnBm로 나타내는 수용성 고체염이고, 상기 제 2 고체염은 화학식 XpYq로 나타내는 수용성 고체염이며 (단, n, m, p 및 q 각각은 1 또는 2), 용매 또는 저농도 전해질을 액상 또는 에어로졸의 형태로 투입하여, 상기 제 1 고체염 및 제 2 고체염의 Am+ 와 Yp-가 또는 Xq+ 와 Bn-가 앙금생성반응으로 침전되어, 구동되는 역전기투석 장치
2 2
교대로 배치된 복수의 양이온 교환막 및 복수의 음이온 교환막; 및상기 양이온 교환막과 음이온 교환막 사이에 교대로 배치된 고체염 챔버 및 무염 챔버를 포함하며,상기 고체염 챔버 중 제 1 고체염 챔버와 상기 제 1 고체염 챔버와 이웃한 제 2 고체염 챔버에 각각 제 1 고체염이 용해된 제 1 고체염용액 및 제 2 고체염이 용해된 제 2 고체염용액이 투입되며, 상기 제 1 고체염용액은 Am+ 및 Bn-을 포함하고, 상기 제 2 고체염용액은 Xq+ 및 Yp-을 포함하며(단, n, m, p 및 q 각각은 1 또는 2), 상기 제 1 고체염용액 및 제 2 고체염용액의 Am+ 와 Yp-가 또는 Xq+ 와 Bn-가 앙금생성반응으로 침전되어, 구동되는 역전기투석 장치
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 양이온 교환막과 음이온 교환막 사이 각각에 순차적으로 형성된 제 1 고체염 챔버, 제 1 무염 챔버, 제 2 고체염 챔버 및 제 2 무염 챔버가 배치되며, 상기 제 1 무염 챔버 내에서 상기 Am+ 와 Yp-가 앙금생성반응으로 침전되고, 상기 제 2 무염 챔버 내에서 상기 Xq+ 와 Bn-는 반응하지 않거나, 상기 제 1 무염 내에서 상기 Am+ 와 Yp-는 반응하지 않으며, 상기 제 2 무염 챔버 내에서 상기 Xq+ 와 Bn-가 앙금생성반응으로 침전되는 역전기투석 장치
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 고체염은 MgCl2, 및 CaCl2 중 1 종인 역전기투석 장치
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 고체염은 K2CO3 및 Na2CO3 중 1 종인 역전기투석 장치
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 무염챔버 내부에는 상기 장치의 구동 전에는 염이 존재하지 않으나, 구동 중에는 100 mM 이하의 농도를 갖도록 염이 존재하는 역전기투석 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 고체염 챔버 및 무염챔버에 용매 혹은 100 mM 이하의 전해질을 액상 혹은 에어로졸 형태로 공급되는 역전기투석 장치
8 8
제 2 항에 있어서,상기 고체염 챔버에는 10 M 이하의 고농도 용액이 액상으로 공급되고, 상기 무염챔버에는 100 mM 이하의 전해질이 액상으로 공급되는 역전기투석 장치
9 9
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 전해질은 MgCl2, CaCl2, K2CO3, Na2CO3, NaCl 및 KCl 용액 중 1종을 포함하는 역전기투석 장치
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 양이온 교환막 중 최외각에 배치된 양이온 교환막 대신에 배치된 애노드를 추가로 포함하고, 상기 양이온 교환막을 통하여 배출되는 양이온 전하량 만큼의 전자가 상기 애노드를 통해 용액상으로 방출되는 역전기투석 장치
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 음이온 교환막 중 최외각에 배치된 음이온 교환막 대신에 배치된 캐소드를 추가로 포함하고,상기 음이온 교환막을 통하여 배출되는 음이온 전하량 만큼의 전자가 용액상으로부터 상기 캐소드로 유입되는 역전기투석 장치
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 음이온 교환막 및 복수의 양이온 교환막 중 최외곽에 배치된 음이온 교환막 및 양이온 교환막 각각은 생체에 접촉되어, 상기 생체에 전기적인 자극을 인가하는 역전기투석 장치
13 13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 음이온 교환막 및 복수의 양이온 교환막 중 최외곽에 배치된 음이온 교환막 및 양이온 교환막 각각은 마이크로플루이딕 칩에 접촉되어, 상기 칩의 내부에 전위차를 형성시키는 역전기투석 장치
14 14
제 1 항 또는 제 2 항의 역전기투석 장치를 포함하는 배터리
15 15
제 14 항의 배터리를 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 나노.소재기술개발 칩 기반 이온트로닉스원천 및 응용 기술 개발