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플라즈마 가스를 주입받고 금속 원료에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 토치 본체;상기 플라즈마 토치본체의 하단부에 위치하여 급냉가스를 방출하고, 복수 개의 홀을 포함하여 급냉가스가 주입되는 가스 주입홀, 상기 가스 주입홀의 각 홀의 유량을 조절하는 유량 조절부, 상기 플라즈마 토치본체의 하단부를 감싸도록 형성되며 상기 플라즈마 토치 본체를 향해 상기 급냉가스를 방출하는 가스 방출부, 및 상기 가스 주입홀과 상기 가스 방출부를 연결하는 가스 통로부,를 포함하는 급냉가스 주입장치; 및상기 플라즈마 토치본체의 하단부를 감싸는 금속 망(mesh)으로 형성되며 (-) DC전압이 적용되어 플라즈마의 양이온 손실을 유도하는 이온유도부, 상기 이온유도부에 (-) DC 전압을 전달하는 전력원, 및 상기 이온유도부와 상기 전력원을 연결하는 전압연결부,를 포함하고, 상기 플라즈마 토치본체의 하단부에 위치하고 (-) DC 전압을 인가하여 플라즈마 이온 밀도를 감소시키는 DC전압 인가장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제1항에 있어서,상기 급냉가스 주입장치는 급냉가스로 상기 가스 주입홀을 통해 아르곤(Ar) 또는 수소(H2) 가 주입되는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제1항에 있어서,상기 유량 조절부는 상기 복수 개의 가스 주입홀의 각 가스 유량을 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제2항에 있어서,상기 급냉가스 주입장치는 상기 가스 방출부를 통해 아르곤(Ar) 또는 수소(H2)를 단독으로 또는 혼합가스 형태로 상기 플라즈마 토치본체를 향하여 방출하는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제1항에 있어서,상기 급냉가스 주입장치는고온에 의한 손상을 방지하기 위 하여 상기 급냉가스 주입장치 내에 냉각수가 흐르는 냉각수관를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제1항에 있어서,상기 급냉가스 주입장치는 온도 분포의 조절을 위하여 상기 플라즈마 토치본체의 하단부에서 높이 조절이 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제1항에 있어서,상기 DC전압 인가장치는 접지체(Grounding body) 사이에 위치하는 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제8항에 있어서,상기 절연체는 세라믹 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치
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제1항 내지 제6항, 제8항 및 제9항 중 선택되는 어느 한 항의 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 분말 가공장치
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