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전고체전지 음극용 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물의 제조방법, 그를 포함하는 음극의 제조방법 및 전고체 리튬이차전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020002124
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 음극 활물질용 산소결핍 결정질인 리튬 실리콘 산화물, 그를 포함하는 음극 및 그의 제조방법에 관한 것이다. [화학식 1] LiSiO2-x 화학식 1에서, 0003c#x003c#2이다. 본 발명의 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물은 고용량 소재로서 기존 흑연을 대체할 수 있다. 또한 본 발명의 산소결핍 결정질인 리튬 실리콘 산화물인 LiSiO2-x 소재에 흑연의 함량을 증가시켜 전고체 리튬이차전지에 적용시킬 경우 충방전 가역성 및 사이클 특성이 크게 개선되는 효과가 있다.
Int. CL H01M 4/48 (2010.01.01) H01M 4/485 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 4/131 (2010.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 10/0562 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 33/32 (2006.01.01)
CPC H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/483(2013.01)
출원번호/일자 1020180101807 (2018.08.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0025038 (2020.03.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호성 광주광역시 광산구
2 김민영 광주광역시 광산구
3 양승훈 광주광역시 북구
4 박상준 광주광역시 북구
5 임진섭 서울특별시 강북구
6 김태원 광주광역시 광산구
7 정채환 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0856702-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0000855-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0040139-94
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0156845-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0156862-71
7 등록결정서
Decision to grant
2020.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0174788-58
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번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 전구체 및 리튬 전구체를 포함하는 혼합물을 졸-겔 반응시켜 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 제조하는 단계;(b) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 건조하고 산화 분위기에서 열처리하여 비정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계; 및(c) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 및 실리콘(Si) 입자를 포함하는 결정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 환원 분위기에서 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계;를포함하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법:[화학식 1]LiSiO2-x (0003c#x003c#2)
2 2
제1항에 있어서,상기 산소결핍 결정질이 단사정계 또는 사방정계인 것을 특징으로 하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,단계 (b)의 열처리가 300 내지 800℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,단계 (c)의 열처리가 600 내지 1,200℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법:[화학식 3]화학식 3에서, R1 내지 R4는 서로 같거나 다르고 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이다
6 6
제5항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 테트라에틸 오르토실리케이트(Tetraethyl orthosilicate, TEOS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 리튬 전구체가 수산화리튬수화물(LiOH·H2O), 수산화리튬(LiOH), 질산리튬(LiNO3) 및 코발트리튬(LiCO3) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법
8 8
(a) 실리콘 전구체 및 리튬 전구체를 포함하는 혼합물을 졸-겔 반응시켜 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 제조하는 단계;(b) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 건조하고 산화 분위기에서 열처리하여 비정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계;(c) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 및 실리콘(Si) 입자를 포함하는 결정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 환원 분위기에서 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계; 및(d) 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 실리콘 산화물을 포함하는 음극 활물질, 하기 화학식 2로 표시되는 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO), 바인더 및 도전재를 포함하는 음극을 제조하는 단계;를포함하는 음극의 제조방법:[화학식 1]LiSiO2-x (0003c#x003c#2)[화학식 2]LixAlyGazLawZruO12 (5≤x≤9, 0≤y≤4, 0≤z≤4, 2≤w≤4, 1≤u≤3)
9 9
제8항에 있어서,상기 음극이 상기 음극 활물질 100중량부에 대하여 상기 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO) 4 내지 50중량부와, 상기 바인더 40 내지 80중량부와 상기 도전재 5 내지 50중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 음극의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 음극 활물질이 흑연을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 음극의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 음극 활물질이 상기 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물 100중량부에 대하여 상기 흑연 50 내지 600중량부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 음극의 제조방법
12 12
제8항에 있어서,상기 바인더가 폴리에틸렌옥사이드(polyethyleneoxide), 니트릴부타디엔러버(NBR, nitrile butadiene rubber), 폴리에틸렌글리콜(polyethyleneglycol), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리프로필렌옥사이드(polypropyleneoxide), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리비닐리덴플루오라이드(polyvinylidenefluoride), 폴리비닐리덴카보네이트(polyvinylidenecarbonate) 및 폴리비닐피롤리디논(polyvinyl pyrrolidinone) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 바인더가 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide)인 것을 특징으로 하는 음극의 제조방법
14 14
제8항에 있어서,상기 도전재가 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 탄소 섬유, 탄소 나노튜브 및 그래핀 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극의 제조방법
15 15
전고체 리튬이차전지의 제조방법에 있어서,상기 전고체 리튬이차전지는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 고체 전해질층을 포함하고,상기 고체 전해질층은 하기 화학식 2로 표시되는 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO)을 포함하고,상기 음극의 제조방법은(a) 실리콘 전구체 및 리튬 전구체를 포함하는 혼합물을 졸-겔 반응시켜 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 제조하는 단계;(b) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 건조하고 산화 분위기에서 열처리하여 비정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계;(c) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 및 실리콘(Si) 입자를 포함하는 결정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 환원 분위기에서 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계; 및(d) 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 실리콘 산화물을 포함하는 음극 활물질, 하기 화학식 2로 표시되는 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO), 바인더 및 도전재를 포함하는 음극을 제조하는 단계;를 포함하는 것인 전고체 리튬이차전지의 제조방법:[화학식 1]LiSiO2-x (0003c#x003c#2)[화학식 2]LixAlyGazLawZruO12 (5≤x≤9, 0≤y≤4, 0≤z≤4, 2≤w≤4, 1≤u≤3)
16 16
제15항에 있어서,상기 음극 활물질이 흑연을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 양극이 리튬 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
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1 과학기술정보통신부 한국생산기술연구원 한국생산기술연구원연구운영비지원 태양에너지 기반 산화-환원 동시반응을 이용한 이산화탄소의 자원화 요소 기술 개발(2/3)