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알루미늄 판재를 제1양극 산화 처리하여 주형 모재를 형성하는 단계;상기 주형 모재를 제2양극 산화 처리하여 제1홀부를 형성하는 단계;상기 제1홀부가 형성된 주형 모재를 제3양극 산화 처리하여 상기 제1홀부 위치에 상기 제1홀부의 형상이 변형된 제2홀부를 형성하여 주형을 제조하는 단계;상기 제2홀부에 전사 매개물을 투입하는 단계;상기 전사 매개물에 기판을 접촉시켜 상기 전사 매개물을 상기 기판으로 전사하여 돌기부가 형성된 기판을 제조하는 단계; 및상기 돌기부가 형성된 기판 상에 금속 나노입자를 증착하여 금속 나노포러스층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1홀부의 형상은 원기둥 형상을 포함하고,상기 제2홀부의 형상은 맥주병 형상(beer-bottle)이 뒤집힌 형상을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 돌기부는 맥주병(beer-bottle) 형상을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 돌기부는 제1볼록부; 및 상기 제1볼록부의 상부에 형성되되, 상기 제1볼록부보다 직경이 작은 제2볼록부를 포함하고, 상기 제1볼록부 및 상기 제2볼록부는 경사면부로 연결되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 합성수지를 이용한 라만 산란(SERS) 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 주형 모재를 형성하는 단계는,상기 알루미늄 판재를 폴리싱하는 단계;상기 폴리싱된 알루미늄 판재를 애노다이징하는 단계; 및상기 애노다이징된 알루미늄 판재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판 제조방법
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제3항에 있어서,상기 폴리싱은 20 V 내지 30 V 공정 전압에서 3 분 내지 5 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판 제조방법
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제3항에 있어서,상기 애노다이징은 40 V 내지 50 V 공정 전압에서 4 시간 내지 5 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노포러스층을 형성하는 단계는,(ⅰ) 증착챔버에 상기 돌기부가 형성된 기판을 고정시키는 단계;(ⅱ) 상기 증착챔버 내부를 진공상태로 만들어주는 단계;(ⅲ) 진공상태인 상기 증착챔버에 공정가스를 주입하여 상기 공정가스가 초기공정압력을 형성하는 단계;(ⅳ) 상기 기판의 온도를 50℃ 이하로 설정하는 단계;(ⅴ) 금속 나노입자가 담긴 증발원(heat source)의 온도를 상승시켜 상기 금속 나노입자의 증기를 형성하는 단계; 및(ⅵ) 상기 (ⅴ)단계에서 생성된 금속 나노입자가 상기 기판의 일면에 금속 나노포러스층을 형성하고, 상기 증착챔버 내부에서 공정압력을 시간에 따라 변화시켜 상기 금속 나노입자의 에너지와 크기를 변화시킴으로써, 상기 금속 나노포러스층 내부에서 밀도구배를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 금속 나노포러스층 내부의 밀도구배에 있어서, 상기 공정압력을 시간에 따라 점진적으로 증가 또는 감소시켜, 상기 금속 나노포러스층 두께의 바깥방향으로 상대밀도를 연속적으로 증가 또는 감소시킴으로써, 상기 금속 나노포러스층을 형성하거나,또는, 상기 공정압력을 시간에 따라 이산적으로 증가 또는 감소시켜, 상기 금속 나노포러스층 두께의 바깥방향으로 상대밀도를 단계적으로 증가 또는 감소시킴으로써, 상대밀도에 따라 구분된 레이어를 형성하면서 상기 금속 나노포러스층을 형성하며, 상기 금속 나노포러스층 내부의 밀도구배에 의해, 상기 기판과 상기 금속 나노포러스층 사이의 접착력을 증가 또는 감소시키는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판 제조방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 복수 개의 돌기를 포함하는 돌기부; 및증착공정을 통해 상기 돌기부가 형성된 기판 상에 나노 크기의 금속 나노입자를 성장시켜 상기 복수 개의 돌기 표면에 형성된 3차원 다공성 구조를 가지고, 내부에서 두께 방향으로 상대밀도 차이에 의해 밀도구배가 형성되는 금속 나노포러스층을 포함하고,상기 돌기는 맥주병(beer-bottle) 형상을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 맥주병(beer-bottle) 형상은, 제1볼록부; 및 상기 제1볼록부의 상부에 형성되되, 상기 제1볼록부보다 직경이 작은 제2볼록부를 포함하고, 상기 제1볼록부 및 상기 제2볼록부는 경사면부로 연결되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 금속 나노포러스층 내부의 밀도구배에 의해, 상기 기판과 상기 금속 나노포러스층 사이의 접착력을 증가 또는 감소시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 돌기의 평균 직경은 10 nm 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 돌기의 높이는 20 nm 내지 2000 nm인 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 돌기는 자외선(Ultraviolet, UV) 또는 전자선(Electron Beam, EB)에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 합성수지를 이용한 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 돌기는 폴리우레탄 아크릴레이트(Polyurethane Acrylates, PUA), 폴리에스테르 아크릴레이트(Polyester Acrylates), 에폭시 아크릴레이트(Epoxy Acrylates) 또는 폴레에터 아크릴레이트(Polyether Acrylates)를 포함하는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리염화비닐(PVC), 폴리아크릴(PC) 또는 폴리프로필렌(PP)을 포함하는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 금속 나노포러스층은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 백금(Pt)을 포함하는 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 금속 나노포러스층의 두께는, 1nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 라만 산란(SERS) 기판
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제7항에 있어서,상기 금속 나노포러스층의 비표면적(specific surface area)값은 0
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제7항에 있어서,상기 금속 나노포러스층은, 직경이 1
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