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렌즈 어레이 형상으로 패터닝된 패턴 사파이어 기판;상기 패턴 사파이어 기판 상부에 순차적으로 적층 형성된 제1 및 제2 GaN 도전층; 및상기 제1 및 제2 GaN 도전층에 특정 형상으로 공간부가 패턴 형성되며, 상기 패턴 사파이어 기판의 렌즈 어레이 상부로부터 상기 공간부에 제1 유전체 중공나노구층과, 상기 제1 유전체 중공나노구층보다 직경이 작은 제2 유전체 중공나노구층과, 상기 제1 유전체 중공나노구층보다 직경이 작은 유전체 나노입자층이 순차적으로 적층되고, 상기 중공나노구와 상기 나노입자 사이에는 공기층으로 채워지는 나노로드;로 구성되는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제1항에 있어서,상기 공간부는, 상기 패턴 사파이어 기판의 렌즈 어레이 상부 꼭지점으로부터 형성되도록 에칭되어 원기둥 형상으로 패턴 형성되는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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렌즈 어레이 형상으로 패터닝된 패턴 사파이어 기판;상기 패턴 사파이어 기판 상부에 순차적으로 적층 형성된 제1 및 제2 GaN 도전층; 및상기 패턴 사파이어 기판의 렌즈 어레이 상부로부터 직경이 작아지는 원뿔 형상으로 공간부가 형성되고, 상기 공간부의 내부공간은 공기층으로 채워지는 나노로드;로 구성되는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제3항에 있어서,상기 공간부의 내부공간에는, 제1 유전체 중공나노구층과, 상기 제1 유전체 중공나노구층보다 직경이 작은 제2 유전체 중공나노구층과, 상기 제1 유전체 중공나노구층보다 직경이 작은 유전체 나노입자층이 순차적으로 적층되고, 상기 중공나노구와 상기 나노입자 사이에는 공기층으로 채워지는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제3항에 있어서,상기 나노로드의 공간부 패턴은, 상기 패턴 사파이어 기판의 렌즈 어레이 패턴과 비정렬되어 패턴 형성되거나, 정렬되어 패턴 형성되는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제5항에 있어서,상기 나노로드의 원뿔 형상의 공간부 패턴은,제1 직경의 원기둥 형상의 공간부를 패턴 형성한 후, 상기 공간부에 에칭액을 채우고 상기 패턴 사파이어 기판 하부로부터 자외선 에칭하여서, 상기 패턴 사파이어 기판의 렌즈 어레이 상부로부터 직경이 작아지는 원뿔 형상으로 공간부 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제5항에 있어서,상기 나노로드의 원뿔 형상의 공간부 패턴은,제2 직경의 원기둥 형상의 공간부를 패턴 형성한 후, 상기 공간부 상부의 측벽 측방향 에피택셜 과성장에 의해 재성장시켜 상기 공간부 상부로부터 직경이 커지는 원뿔 형상으로 공간부 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 패턴 사파이어 기판의 렌즈 어레이 패턴은 2㎛ 높이로 형성되며, 상기 제1 유전체 나노구층은 2㎛ 높이로 형성되고, 상기 제2 유전체 나노구층과 상기 유전체 나노입자층은 10㎛ 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제8항에 있어서,상기 제1 유전체 나노구층의 나노구는 50㎚ 내지 100㎚의 직경으로 형성되며, 상기 제2 유전체 나노구층의 나노구는 20㎚ 내지 50㎚의 직경으로 형성되고, 상기 유전체 나노입자층의 나노입자는 30㎚ 내지 50㎚의 직경으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 유전체는 실리카인 것을 특징으로 하는, 공기층 분률조절을 통해 광추출 효율이 향상된 GaN LED
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