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플라즈몬 금속 나노 입자가 꾸며진 광전기화학셀 광양극 제조 방법 및 광전기화학셀 광양극

  • 기술번호 : KST2020002269
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전기화학셀 (PEC: PhotoElectro Chemical Cell) 광양극(Photoanode)으로 사용할 수 있도록 회중석 단사정계 비스무스 바나데이트(scheelite monoclinic bismuth vanadate(BiVO4))의 물산화특성을 향상시키는 플라즈몬 금속 나노 입자가 꾸며진 광전기화학셀 광양극 제조 방법 및 상기 광전기화학셀 광양극 제조 방법에 의해 제조된 광전기화학셀 광양극에 관한 것이다. 상술한 본 발명의 플라즈몬 금속 나노 입자가 꾸며진 광전기화학셀 광양극 제조 방법은, 기판 상에 금속산화물 나노와이어층을 형성하는 단계; 상기 금속산화물 나노와이어층 상에 광감응물질 나노 입자 용액을 코팅하여 광감응물질층을 형성하여 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 형성하는 단계; 및 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조 상에 금속 나노 입자 전구체 및 환원제를 포함하는 나노 입자 용액을 도포하여 금속 나노 입자를 부착하는 단계를 포함하고, 상기 금속 나노 입자를 부착하는 단계에서, 상기 나노 입자 용액의 pH를 조절하여 상기 금속 나노 입자를 부착하는 공정 중에 상기 광감응물질이 녹는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 1/00 (2006.01.01) C25B 1/04 (2006.01.01) C23C 18/44 (2006.01.01)
CPC C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01)
출원번호/일자 1020180103591 (2018.08.31)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-2166118-0000 (2020.10.08)
공개번호/일자 10-2020-0025753 (2020.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20201015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상한 광주광역시 북구
2 김승규 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0867490-18
2 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2020.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0025960-23
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0190900-52
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0484346-83
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0484331-09
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0573970-65
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.09.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-1014973-78
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1016181-71
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0670249-62
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번호 청구항
1 1
기판 상에 ZnO를 포함하는 금속산화물 나노와이어층을 형성하는 단계;상기 금속산화물 나노와이어층 상에 광감응물질 나노 입자 용액을 코팅하여 광감응물질층을 형성하여 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 형성하는 단계; 및금속 나노 입자 전구체 및 환원제를 포함하는 나노 입자 용액에 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 침지시켜 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조 상에 금속 나노 입자를 부착하는 단계를 포함하고,상기 금속 나노 입자를 부착하는 단계는 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 상기 나노 입자 용액에 침지시키는 공정 중에 상기 광감응물질이 녹는 것이 방지되도록 상기 나노 입자 용액의 pH를 6
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제1항에 있어서,상기 환원제는 구연산 3 나트륨 이수화물(trisodium citrate dihydrate)을 탈이온수에 용해시켜 제조되는, 광전기화학셀 광양극 제조 방법
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ZnO를 포함하는 금속산화물 나노와이어층;광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 형성하도록 상기 금속산화물 나노와이어층에 코팅된 광감응물질; 및금속 나노 입자 전구체 및 환원제를 포함하는 나노 입자 용액에 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 침지시켜 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조 상에 부착된 금속 나노 입자를 포함하고,상기 나노 입자 용액은, 상기 광감응물질/금속산화물 나노와이어 이종구조를 상기 나노 입자 용액에 침지시키는 공정 중에 상기 광감응물질이 녹는 것이 방지되도록 상기 나노 입자 용액의 pH가 6
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청구항 6에 있어서,상기 환원제는 구연산 3 나트륨 이수화물(trisodium citrate dihydrate)을 탈이온수에 용해시켜 제조된 것인, 광전기화학셀 광양극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 광주과학기술원 미래소재디스커버리사업 다중 정전용량 소재 및 멤커패시터 응용 기초기술 개발
2 없음 광주과학기술원 GIST 개발과제 고성능 강유전체 메모리 소자 개발을 위한 핵심 나노 기술 개발